可控硅模块是PNPN四层三端元器件，共有3个PN结。解析原理时，可以把它当作是由1个PNP管和1个NPN管所组成，其等效电路图解如图1（a）所示，图1（b）为可控硅模块的电路符号。
图1可控硅模块等效电路图解图

可控硅模块的工作原理

可控硅模块是四层三端元器件，它有J1、J2、J33个PN结，可以把它中间的NP划分两部分，组成1个PNP型三极管和1个NPN型三极管的复合管。

（1）当可控硅模块承担正向阳极工作电压时，为使可控硅模块导通，必须使承担反向工作电压的PN结J2失去阻挡作用。每一个晶体管的集电极电流同时便是另1个晶体管的基极电流。所以是2个互相复合的晶体管线路，当有足够的门极电流Ig流入时，便会产生明显的正反馈，引发两晶体管饱和导通。

设PNP管和NPN管的集电极电流主要为IC1和IC2，发射极电流相对为Ia和Ik，电流放大系数相对为α1＝IC1／Ia和α2＝IC2／Ik，设流过J2结的反相漏电流为ICO，可控硅模块的阳极电流相当于两管的集电极电流和漏电流的之和：

Ia＝IC1＋IC2＋ICO＝α1Ia＋α2Ik＋ICO（1）

若门极电流为Ig，则可控硅模块阴极电流为：Ik＝Ia＋Ig。

所以，可以得出可控硅模块阳极电流为：

（2）硅PNP管和硅NPN管相对的电流量放大系数α1和α2随其发射极电流量的改变而急剧改变。当可控硅模块承担正向阳极电压，而门极未接受电压的情况下，式（1）中Ig＝0，（α1＋α2）很小，故可控硅模块的阳极电流量Ia≈ICO，可控硅模块处在正向阻断模式；当可控硅模块在正向门极电压下，从门极G流入电流量Ig，因为足够大的Ig流经NPN管的发射结，从而提升放大系数α2，产生足够大的集电极电流量IC2流过PNP管的发射结，并提升了PNP管的电流量放大系数α1，产生更大的集电极电流量IC1流经NPN管的发射结，这种强烈的正反馈过程快速进行。

当α1和α2随发射极电流量提升而导致（α1＋α2）≈1时，式（1）中的分母1－（α1＋α2）≈0，因此提升了可控硅模块的阳极电流量Ia。这时，流过可控硅模块的电流量完全由主电路的电压和回路电阻决定，可控硅模块已处在正向导通模式。可控硅模块导通后，式（1）中1－（α1＋α2）≈0，即便 这时门极电流量Ig＝0，可控硅模块仍能维持原先的阳极电流量Ia而继续导通，门极已失去作用。在可控硅模块导通后，要是不断地降低电源电压或增大回路电阻，使阳极电流量Ia降低到维持电流量IH之下时，因为α1和α2快速下降，可控硅模块恢复到阻断模式。

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