20世纪80年代可关断晶闸管模块GTO的商品化推动了交流调速技术的发展，与SCR对比其属于自关断元件，因为取消了强迫换流线路，优化了在交流电力机车中大量选用的逆变器线路，近年来GTO的容量为6000A/6000V，在电力机车调速中大多选用（3000～4000）A/4500V，中压变频器功率范围多在（300～3500）kW以内，属于较小的功率范围。GTO开关频率较低，需要结构复杂的缓冲线路和门极触发线路，用门极负电流脉冲关断GTO，其值接近其阳极电流量的1/3，如关断3000A/4000V的GTO，需750A的门极负脉冲电流，其门极触发线路要数个MOSFET并接的低电感线路，而相同的高压igbt模块仅需5A的导通和断开电流。

GTO的工作频率小于500Hz，以1500A/4500V的GTO为例，其开通时间为10μs，断开时间约需20μs。

硬驱动GTO(IGCT)是断开增益为1的GTO，GTO制作技术上是由数个小的GTO单元并接而成的，为解决断开GTO时非均匀断开和阴极电流收缩效用，减短断开时间，利用增加负门极电流上升率，在1μs内使负门极电流提升到阳极电流的幅度值而使GTO的门极－阴极快速恢复阻断。

将GTO外配MOSFET构成的门极驱动器组成IGCT，达到了场控晶闸管模块的作用，IGCT用的过程中要求开通和断开过程尽量短，现阶段IGCT的最高水平为4000A/6000V，IGCT断开过程中仍要di/dt缓冲器避免过压，IGCT以GTO为基础，其工作频率应在1kHz之下。
图112脉波二极管整流输入选用高压igbt模块的三电平MV设备
图2MV输出电压和輸出电流波形(典型的基波电流系数gi=99％)

随之关断水平和载流水平的提升 ，高压igbt模块以其自保护作用强，不用吸收线路而有着广阔的应用前景。

传承公司从2013年逐渐研发和使用低压igbt模块，在高压igbt模块的研发上也位于领先地位，以现阶段用作MV系列产品的1200A/3300Vigbt模块为例，其栅极发射极电压仅为15V，触发功率低，断开损耗小，di/dt、dv/dt都取得了有效控制，现阶段高压igbt模块的研发水平为(600～1200)A/6500V，其工作频率为（18～20）kHz。

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以上就是传承电子中压igbt模块变频器用电力电子器件的比较的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。