igbt模块各中原因受损解决方法介绍

2021-05-13

1、过电压毁坏

预防过电压毁坏方式有：优化主线路的工艺构造，经过减小大电流回路的路径来减少线路内寄生电感；适度提高igbt模块驱动电阻Rg使开关速度减慢（但开关损耗也提高了）；设计缓冲线路，对尖峰电压实现抑制。用作缓冲线路中的二极管必需是快恢复的二极管，电容器必需是高频、损耗小，频率特性好的薄膜电容。

如此才可以获得好的吸收作用。常见线路有耗能式和回馈式缓冲线路。回馈式又有无源式和有源式2种，详细电路设计可参照所选用元件的技术手册。

2、桥臂共导毁坏

在UPS中，逆变桥同臂支路2个驱动必需是互锁的，并且应当设定死区时间（即一起不导通时间）。

倘若出现共导，igbt模块会迅速毁坏。在控制电路应当充分考虑多种运行情况下的驱动问题控制时序问题。

3、过热毁坏

可经过降额使用，增加散热器，涂敷导热胶，强行风扇制冷，设定过温度保护等方式来处理过热毁坏的问题。

除此之外还需留意组装过程中的静电毁坏问题，操作人员、工具必需实现防静电防护。

以上就是传承电子对igbt模块各中原因受损解决方法介绍的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。

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