igbt模块驱动线路存在的不足

2021-05-14

在中频脉冲渗碳电源中，能快速建立过流保护是首要的，而驱动脉冲无延缓地传递，对即时过流保护起关键作用；另外为了降低开关损耗，还需很陡的驱动脉冲上升沿和下降沿；某些特殊场所需紧凑而简洁、不附加驱动电源等。综合考虑到上述需，选择变压器隔离全桥驱动线路，其线路如图1所示。

图1中2个桥臂各选择1个N-MOSFET和1个P-MOSFET。两路PWM控制信号1或2为高电平时，即1为高电平，2为低电平，Q1和Q4关断，Q2和Q3导通，Q5导通。

这时，Q2，Q3和T1的原边绕组就建立通道，脉冲电压加在T1的原边，相对的次边会获得驱动脉冲信号。1，2都为低电平时，Q1，Q2会另外导通，T1原边被短路，则次边无脉冲輸出。

MOSFET拥有导通电阻小，响应快，能供应挺大的瞬时开启igbt模块所需的电流，能够确保驱动脉冲有较陡的上升沿和下降沿。需表明的是，此渗碳脉冲电源的輸出脉冲控制芯片选择UC3825，是峰值电流控制型芯片，本身有着防偏磁的水平，不用加隔直电容来避免偏磁；反之，当加隔直电容时，造成两路PWM控制信号无法一起断开的情况，在除掉此隔直电容后，情况消失。

因此，在用隔直电容防偏磁时，要留意使用芯片的控制形式。

图给出的驱动线路虽说解决了驱动信号无延迟传输和供应了有较陡上升沿和下降沿的驱动脉冲，但又发生了驱动脉冲的上升沿有过冲和下降沿有很大的断开尖峰。上升沿的过冲主要是由漏感造成的，详细分析及消除此过冲的方式已有详尽探讨。

下降沿的断开尖峰主要是励磁电感造成的。通常减少这2种尖峰是利用增多Rg(门极电阻)来完成，但增加Rg会减缓驱动脉冲上升沿和下降沿的陡度，而增加开关损耗。

此线路主要工作流程分析如下：图2是一个脉冲周期，当正脉冲上升沿(t0～t3)来临时(这儿只考量正脉冲)，电容C等同于短路，利用二极管D和电容C能够给igbt模块供应很大的瞬间电流，把驱动脉冲的上升时间减短。

以上就是传承电子对igbt模块驱动线路存在的不足的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。

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