新闻列表 - 传承电子科技(江苏)有限公司 - IGBT模块_可控硅模块

可控硅模块运行特性介绍

2022-05-13

阻断状态：IG=0，a1+a2极小。穿过可控硅模块的漏电流稍超过2个晶体管漏电流之和。开通状态：注入触发电流使晶体管的发射极电流增加以至a1+a2趋于于1的话，穿过可控硅模块的电流IA，将趋于于无穷大，完成饱和导通。IA事实上因为外线路负载的限制，会维系有限值。其它几种可能导通的状况：1）阳极电压上升至很高的数值产生雪崩效应2）阳极电压上升率du/dt过高3）结温较高4）光触发仅有门极触发是最精准、快速而可靠的控制手段。可控硅模块的4点运行特性可控硅模块正常运行时的特性归纳之下：1）承担反方向电压时，不管门极是不是有触发电流，可控硅模块都不...

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igbt的动态工作特性

2022-05-12

igbt在开通过程中，大多数时间是当作MOSFET来运作的，仅是在漏源电压Uds下降过程后期，PNP晶体管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。td(on)为开通延迟时间，tri为电流上升时间。实际上使用中常给出的漏极电流开通时间ton即是td(on)tri之和。漏源电压的下降时间由tfe1和tfe2即是。igbt的触发和断开要求给其栅极和基极间再加上正方向电压和负向电压，栅极电压可由不一样的驱动线路产生。当选择这类驱动线路时，务必基于之下的参数来进行：元器件断开偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。因为igbt栅极-发射极阻抗大，故可使用MOSFET驱动技术进行触发，不过因为igbt的输入电容较...

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可控硅内部结构与工作原理

2022-05-11

可控硅外型有螺栓型和平板型2种封装。有3个连接端。螺栓型封装，一般螺栓是其阳极，能与散热器紧密连接且组装便捷。平板型可控硅可由2个散热器将其夹在中间。图1.可控硅的外型、构造和电气图形符号 a）外型b）构造c）电气图形符号常用可控硅的构造按晶体管的原理，得： Ic1=a1IA+ICBO1 （1-1） Ic2=a2IK+ICBO2 （1-2） IK=IA+IG &n...

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igbt模块的静态工作特性

2022-05-10

igbt模块的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。igbt模块的伏安特性指的是以栅源电压Ugs为参变量时，漏极电流与栅极电压间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它与GTR的输出特性相似．也可分为饱和区1、放大区2和击穿特性3部分。在截止模式下的igbt模块，正方向电压由J2结承担，反方向电压由J1结承担。倘若无N+缓冲区，则正反方向阻断电压可以达到同样的水平，进入N+缓冲区后，反方向断开电压只可以达到几十伏水平，所以限制了igbt模块的某一些使用范围。igbt模块的转移特性指的是输出漏极电流Id与栅源电压Ugs间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性一样...

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可控硅模块的使用

2022-05-09

一、可控整流好比二极管整流一样，能够把交流整流为直流，且在交流电压没变的状况下，便于地控制直流输出电压的大小即可控整流，完成交流——可变直流。二、交流调压与调功借助可控硅模块的开关特性替换老式的接触调压器、感应调压器和饱和电抗器调压。为了能清除可控硅模块交流调压产生的高次谐波，出現了1种过零触发，完成负载交流功率的无级调节即可控硅模块调功器。交流——可变交流。三、逆变与变频直流输电：将三相高压交流整流为高压直流，由高压直流远距离输送以降低耗损，增加电力网的稳定，之后由逆变器将直流高压逆变为50HZ三相交流。直流——交流。中频加热和交流电动机的变频调速、串激调速等变频，交流——频率可变...

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