新闻列表 - 传承电子科技(江苏)有限公司 - IGBT模块_可控硅模块

igbt模块的参数介绍

2022-05-20

(1)关断当在栅极施加一个负偏压或栅压低于门限值时，沟道被禁止，没有空穴注入N-区内。在任何情况下，如果MOSFET电流在开关阶段迅速下降，集电极电流则逐渐降低，这是因为换向开始后，在N层内还存在少数的载流子（少子）。这种残余电流值（尾流）的降低，完全取决于关断时电荷的密度，而密度又与几种因素有关，如掺杂质的数量和拓扑，层次厚度和温度。少子的衰减使集电极电流具有特征尾流波形，集电极电流引起以下问题：功耗升高；交叉导通问题，特别是在使用续流二极管的设备上，问题更加明显。鉴于尾流与少子的重组有关，尾流的电流值应与芯片的温度、IC 和VCE密切相关的空穴移动性有密切的关系。因此，根据所达到的温度，降低...

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双向可控硅模块的触发方式

2022-05-19

双向可控硅是由N-P-N-P-N5层半导体材料制作而成的，对外部也导出3个电极，其构造如下图所示。双向可控硅等同于2个单向可控硅的反方向并接，但只有一个控制极。双向可控硅正反2个方向都能导通，门极加正负信号都能触发，所以有4种触发形式。（1）I+触发形式阳极电压为第1阳极T1为正，第2阳极T2为负；门极电压G为正，T2为负，特性曲线在第一象限，为正触发。（2）I-触发形式阳极电压为第1阳极T1为正，第2阳极T2为负；门极电压G为负，T2为正，特性曲线在第一象限，为负触发。（3）Ⅲ+触发形式阳极电压为第1阳极T1为负，第2阳极T2为正；门极电压G为正，T2为负，特性曲线在第三象限，为...

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IGBT使用时出现的几类短路故障

2022-05-18

工业生产电机驱动的整体行业发展趋势是对更高效率及可靠性和稳定性的标准频频提升。关于增多绝缘栅极双极性晶体管（igbt模块）导通耗损的一些衡量抉择是：更高的短路电流电平、更小的芯片尺寸，及更低的热容量和短路耐受时长。这突显了栅极驱动器电路及过电流检测和保护作用的必要性。下列内容讲述了如今工业电机驱动中顺利可靠地完成短路保护的状况，并且出示三相电机控制应用中隔离式栅极驱动器的试验性示例。工业生产环境中的短路故障哪几个？工业生产电机驱动器的作业环境比较恶劣，也许出现高温、交流电路瞬变、机械过载、接线有误及其余突发状况。当中一些事件很有可能会造成过大的过流进入电机驱动器的功率电路中。图1展示了3种常见的短路故障事件。...

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可控硅调速线路运行原理详解

2022-05-17

可控硅调速器线路如下图9-13所显示，是普遍使用于小型直流电动机调速的控制线路。调速器线路通常由电压给定环节、触发脉冲环节、电压和电流反馈环节及主回路和励磁部分构成。线路中选用了电流正反馈和电压负反馈环节来替代测速发电机进行电枢电压无级调速。其运行原理如下所示（1）主线路【图9-13（a）部分】主线路为单相半控桥式全波整流电路，220V交流电源经整流后，变成直流电动机调压调速电源。为防止可控硅在接通和断开过程中产生过电压，在可控硅V16和V17两边各自并连着由电阻R18和电容C8、R19和C9串连组成的阻容保护设备；因为主线路中串连电抗器L，使主电路负载电流连续，并减少了电流脉动；为确保可控硅可靠换...

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igbt模块的原理

2022-05-16

N沟型的igbt模块运行是经过栅极－发射极间加阀值电压VTH以上的（正）电压，在栅极电极正下方的p层上形成反型层（沟道），开始从发射极电极下的n-层注入电子。该电子为p+n-p晶体管的少数载流子，从集电极衬底p+层开始流入空穴，进行电导率调制（双极运行），因此可以降低集电极－发射极间饱和电压。运行时的等效线路如下图1（b）所显示，igbt模块的符号如下图1（c）所显示。在发射极电极侧形成n+pn－寄生晶体管。若n+pn－寄生晶体管运行，又成为p+n－pn+晶闸管模块。电流继续流动，直到输出侧停止供应电流。经过输出信号已无法进行控制。通常将这类状态称之为闭锁状态。为了能抑制n+pn-寄...

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