新闻列表 - 传承电子科技(江苏)有限公司 - IGBT模块_可控硅模块

IGBT的过热保护方法

2022-05-07

IGBT的损耗功率关键涉及开关损耗和导通损耗，前面一种随开关频率的增高而增大，占整体损耗的主要部分;后面一种是IGBT控制的平均电流与电源电压的乘积。因为IGBT是功率大的半导体器件，损耗功率使其发热较多(尤其是Rg选择偏大时)，加上IGBT的结温无法高于125℃，不适合长期性运行在较高环境温度下，所以要选用得当的散热方案进行过热保护。散热通常是选用散热器(涉及普通的散热器与热管散热器)，并可进行强迫风冷。散热器的架构设计应符合：Tj=P△(Rjc+Rcs+Rsa)《Tjm式中Tj-IGBT的运行结温P△-损耗功率Rjc-结-壳热阻Rcs-壳-散热器热阻Rsa-散热器-环境热阻...

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触发可控硅电路

2022-05-06

光控整流桥模块触发可控硅线路如下图260所显示。图a为光照接电式线路。无光照时，VD1~VD4整流桥模块未接通，VTD因无触发电流而停止，负载无电流经过面不运行。当有发光二极管VL接电发亮，使光敏晶体管VTP得到光照后，VTP的发射极与集电极有光电流经过，等同于1根导线将A、B2点连通，使VD1~VD4组成1个整流电桥，电源经C1、整流电桥，为VTD供应触发电流，VS导通，负载运行。图b为光照断开式线路。平常，VD1~VD4因VIP不会受到光照，整流电桥开路。此时电源经R1为双向可控硅VTD供应触发电流，VTD导通，负载接电运行。当VTP受VL光照后，整流桥模块路沟通，VD1~...

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igbt模块电源驱动线路设计

2022-05-05

大功率开关电源的主线路，通常当做实现输入功率到输出功率的能量转换。这类电源体系从遵循一般逆变的AC—DC—AC类型。在这一电源体系中，三相工频交流网络电压通过整流模块整流和滤波，受到大概540V的直流电压。该直流电压加到由功率开关管igbt和中频变压器构成的逆变器上。由4个功率开关管构成桥的四臂，中频变压器联接在两者中问，相应桥臂上的两组功率开关管由栅极驱动线路以脉冲形式激励而交替地通断，将直流电压转换成20kHz的中频交变电压，中频变压器同一时间将大概540V的电压降为24V左右的工作电压，随后经整流、滤波后，输出直流电压。在这一大功率电源的全桥线路中，我们假定变压器的工作电压为U，输出功率为P1，如...

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可控硅模块的主要参数介绍

2022-05-01

额定正方向平均电流：在规定条件下，阳极和阴极间能够连续利用的50HZ正旋半波电流的平均值。维持电流：在规定条件下保持可控硅导通的最少正方向电流。漏源饱和电流：在栅源短路，漏源电压足够大时的漏源电流。正方向跨导：在共源线路中，栅源输入电压每增加1V所产生的漏源輸出电流的变化量。最大栅源电压：MOS管由于其栅极有很高的绝缘电阻，所以栅极断开时，极易使管子毁坏，储存时应留意将3个管脚短接。例：N沟道结型场效应管:3DJ6D。饱和漏源电流：《0.35ma夹断电压：<4V(-4V)栅源绝缘电阻：10(8)ohm正方向跨导：>1000輸入电容：<5pf电容反馈：&...

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IGBT构成的输出整流和滤波电路

2022-04-29

图为全桥式逆变器輸出线路我们所制定的这类大功率电源设计方案中，全桥式逆变线路的输出线路如图2所显示，这是因为二极管D7、D8都给输出端供应半周期的电流量，因此两者分摊着相等的负荷电流量，它们不用续流二极管，这是因为当1个二极管截止时，另1个二极管就导通起着了续流的功能。但对二极管的反向截止电压参数的需求就高了，它的最小值可估算为：2.4VoVimax/Vimin。在这个一全桥式逆变器的輸出线路系统中，其整流二极管务必具备正向降低、快速恢复的特性，还应当具备充分的输出功率。在具体运用中，整流二极管就算在大的止向电流量影响下，其正向压降也很低，仅有0.4V的样子。...

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