新闻列表 - 传承电子科技(江苏)有限公司 - IGBT模块_可控硅模块

基于PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOS?源极底置25 V功率MOSFET

2021-01-04

2020年2月13日，德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）通过专注于解决当前电源管理设计面临的挑战，来实现系统创新和组件水平的改进。“源极底置”是符合行业标准的全新封装概念。英飞凌已推出第一批基于该封装概念的功率MOSFET，它们是采用PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOSTM 25 V。该器件在MOSFET性能方面树立了新的行业标杆，不仅通态电阻（RDS(on)）降低，还具有业内领先的热性能指标。该产品适合的应用非常广泛，包括马达驱动、SMPS（包括服务器、电信和OR-ing）和电池管理等等。新封装概念将源极（而非传统的漏极）...

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全新600 V CoolMOS? PFD7系列助力实现全新水平的超高功率密度设计

2021-01-04

2020年2月13日，德国慕尼黑讯——通过立足于超结技术创新和20多年的丰富经验，英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）进一步扩展其CoolMOSTM产品组合，推出全新PFD7系列，该系列不仅具备一流的性能，还拥有最出色的易用性。这些器件适用于超高功率密度设计（如充电器和适配器等）以及低功率驱动和特定照明应用。稳健度与可靠度提高，加上效率提高，开关损耗降低，以及热性能改进，使得该产品系列成为当代工程设计的终极之选。CoolMOSTM PFD7系列符合移动产品追求小型化和轻量化以及大型家电追求节能高效的趋势，有助于在经济高效的基础上突破超高功率密度设计的极限。...

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英飞凌650 V CoolSiC? MOSFET系列为更多应用带来最佳可靠性和性能水平

2021-01-04

【2020年2月25日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）进一步扩展其碳化硅（SiC）产品组合，推出650V器件。其全新发布的CoolSiC? MOSFET满足了包括服务器、电信和工业SMPS、太阳能系统、能源存储和电池化成、不间断电源（UPS）、电机控制和驱动以及电动汽车充电在内的大量应用与日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。 “随着新产品的发布，英飞凌完善了其600V/650V细分领域的硅基、碳化硅以及氮化镓功率半导体产品组合，”英飞凌电源管理及多元化市场事业部高压转换业务高级总监Steffen Metzger表示，“这凸显了我们在市场...

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英飞凌发布iMOTION? IMC300系列增加Arm? MCU以实现最佳灵活性

2021-01-04

2020年2月18日, 德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）发布IMC300全新电机驱动控制器系列。该系列将iMOTION?运动控制引擎（MCE）和新增的基于Arm® Cortex®-M0内核的微控制器整合在一起。该系列是对IMC100系列的提升，主要针对有着非常高的应用灵活性需求的变频驱动。这两个系列都采用了MCE 2.0，能助力驱动电机，可选PFC控制功能。通过使用MCE进行电机控制，客户将能把精力集中在完全独立运行于嵌入式Arm®微控制器的系统应用上。英飞凌经实践验证的MCE 2.0实现了永磁同步电机（PMSM）的高效的FOC（Fiel...

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GlobalSign携手英飞凌加强物联网设备身份验证和可信度，以简化在微软Azure物联网中心的注册

2021-01-04

可信平台模块（TPM）的交叉签名认证证书让系统集成商和解决方案运营商能够轻松、安全地进行设备注册 2020年2月25日，德国慕尼黑和美国波士顿讯 —— 全球知名的认证机构（CA）兼物联网（IoT）身份验证和安全解决方案的领先供应商GMO GlobalSign，携手半导体制造商英飞凌在近日推出一项解决方案，旨在轻松、安全地进行微软“Azure物联网中心”和“物联网中心设备预配服务”设备注册。这一合作缓解了复杂的设备身份集成困难，并为从芯片到云端的物联网设备安全提供了一条可靠的方法。该解决方案的核心是，由GlobalSign全球公认的、已通过WebTr...

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