新闻列表 - 传承电子科技(江苏)有限公司 - IGBT模块_可控硅模块

为何要在晶闸管两头并联阻容网络

2021-02-21

在实际晶闸管线路中，经常在其两头并联RC串联网络，该网络常称之为RC阻容吸收线路。我们知道，晶闸管有个至关重要性能参数－断态电压临界值上升率dlv/dlt。它反映晶闸管在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管从断态转到通态的最低标准电压上升率。若电压上升率过大，超出了晶闸管的电压上升率的值，则会在无门极信号的条件下开通。即便这时加于晶闸管的正向电压小于其阳极峰值电压，也会出现这类情形。所以晶闸管能够当作是由3个PN结构成。在晶闸管处在阻断模式下，因各层距离非常近，其J2结结面等同于1个电容C0。当晶闸管阳极电压转变时，便会出现充电电流流经电容C0，并经过J3结，这一电流起了门极触发电流功能。倘若晶闸管在关断时...

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可控硅（晶闸管）的注意事项

2021-02-21

电流量上升率、电压上升率的抑止保护1.电流量上升率di/dt的抑止晶闸管初导通时电流量聚集在接近门极的阴极表层较小的范围，部分电流密度过大，随后以0.1mm/μs的拓展速度将电流量拓展到整个阴极面，若晶闸管导通时电流量上升率di/dt过大，会造成 PN结击穿，需要限制晶闸管的电流量上升率使其在适宜的范畴内。其更有效方法是在晶闸管的阳极电路串联入电感。如下图: 图1：串联电感抑止电路2.电压上升率dv/dt的抑止加在晶闸管上的正向电压上升率dv/dt也应有一定的限制,一旦dv/dt过大，基于晶闸管结电容的存在而发生过大的位移电流，该电流能够本质上发挥触发电流的效果，使晶闸管正向阻...

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晶闸管（可控硅）的过压保护

2021-02-21

一、晶闸管的过压保护晶闸管模块在运作过程中，会遭到由交流供电电网进到的操作过电压和雷击过电压的侵扰。另外，模块自身运作中和非正常运作中也有过电压出现。1.过电压保护的第一个办法是并接R-C阻容吸收电路，和用压敏电阻或硒堆等非线性元器件完成控制。见图3和图4。图1：阻容三角控制过压图2：压敏电阻或硒堆控制过压2.过电压保护的第二个办法是选用电子电路完成保护。常用的电子保护原理图如下：图2过压保护原理图二、整流晶闸管阻容吸收元件的选择电容的选择:C=(2.5-5)×10的负8次方×IfIf=0....

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晶闸管（可控硅）过电流保护

2021-02-21

晶闸管元件导致过电流的根本原因能够分成两种:一种是因为整流电路内部因素,如整流晶闸管受损,触发线路或控制系统有障碍等;当中整流桥晶闸管受损类比较严重,通常是因为晶闸管因过电压而击穿,导致无正、反向阻断功能，它等同于整流桥臂发生永久性短路，使在其它两桥臂晶闸管导通时，不能正常换流，从而导致线间短路导致过电流.另一种则是整流桥负载外电路产生短路而导致的过电流，这类现象常有发生，因为整流桥的负载本质是逆变桥,逆变电路换流失败，就等同于整流桥负载短路。其它，如整流变压器中心点接地，当逆变负载回路触及大地时，也会产生整流桥相对地短路。针对第一种过电流，即整流桥内部缘故导致的过电流，及其逆变器负载回路接地时，能够选用第一种防护措施，...

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可控硅的作用及其用途

2021-02-21

可控硅缩写为SCR，是可控硅整流元器件的简称，有时候也将其叫做晶闸管。可控硅是一个具备3个PN结、四层构造的大功率半导体元器件，具备体型小、构造简易、作用强、抗高压的特性，如今已普遍使用于电视机、电冰箱、无线电遥控、摄像机、定时控制器等设施中。 1、可控整流作用可控硅的作用其一便是可控整流，这也是可控硅最主要也最重要的作用。我们所熟识的二极管整流电路只可实现整流的作用，并不能实现可控，而只要把二极管换做可控硅，便组成了一个可控整流电路。在一个最主要的单相半波可控整流电路中，当正弦交流电压处在正半周时，只能在控制极另加触发脉冲时，可控硅才被触发导通，负载上才有电压输出，所以若利用变化控制极上触发脉冲来...

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