新闻列表 - 传承电子科技(江苏)有限公司 - IGBT模块_可控硅模块

igbt功率模块的作用

2021-12-21

igbt模块是1种功率晶体管，使用这种晶体设计之UPS可有效的提高产品效能，使电源产品质量好、效率高、热耗损少、噪音低、体型小与产品使用期长等许多优点。现介绍igbt模块选型的4个基本标准。1、安全工作区在安全层面，通常指的便是电的特性，除开常用的变压电流之外，再有RBSOA（反方向偏置安全工作区）和短路时的保护。这个是开通和断开时的波形图，这个是有关的开通和断开时的定义。我们做设计时结温的标准，如长时间运行务必确保温度在安全结温内，做到这一确保的前提条件是要把这个模块有关的应用参数出示出来。如此结合这一参数之后，结合选择的igbt模块的芯片，再有封装和电流，来测算产品的功能损耗和结温，是不是符合安全结...

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高压可控硅的触发线路电位

2021-12-20

在高压条件下，可控硅串接阀的绝缘问题是十分重要的1个环节，倘若绝缘问题处置不佳，那可能严重影响设施运作的安全性与可靠性。触发线路的高电位部位和低电位部位间的隔离主要是靠触发CT和借助CT的10kV绝缘的电流线，想要减低对触发CT绝缘等级的需求，减少在高压条件下串接阀主电路对脉冲电路的干扰，与此同时减低对脉冲电路绝缘等级的需求，将变压器T12次侧的地直接接在可控硅串接阀的第4和第5个可控硅间，即串接阀主电路的中点电位，将脉冲电路的电位拉高至1/2高电位，如下图1中标记为中点电位点的地方。进而使整个串接阀构造的电位全部提升，如此，绝缘的需求就加至隔离供电变压器T1的1次侧和2次侧间，而这边选择的变压器T1的1次侧与2...

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PT-IGBT与NPT-IGBT的差异

2021-12-17

1、PT-IGBT图1其实是PT型1GBT芯片的内部结构，图2（c）是其导电的工作原理。所言的PT（PunchThrough，穿通型），指的是电场穿透了N-漂移区（图1中③），电子与空穴的重要汇合点在N1区［图1（c）］。NPT在实验室内完成的时间段（1982年）要早于PT（1985），但工艺上的因素促使PT规模商用化的时间段比NPT早，因此第1代igbt模块商品以PT型为主。 PT-IGBT很切实解决了igbt模块的闩锁问题，但要增加外延层厚度，工艺复杂，成本也高。igbt模块芯片中的外延层与电压规格是直接关联的，电压规格越高、外延层越厚，IZOOV、2000V的PT-igbt模块外延...

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高压可控硅模块串连阀触发线路构成与运行原理

2021-12-16

文中研究的内容便是1种在实际项目中运用的可控硅模块阀组的触发线路设计。触发脉冲电流的上升沿时间越短、峰值越大，可控硅模块导通扩散的速率就越快，当全部可控硅模块导通时间都大大缩短后，可控硅模块中导通的对应一致性就大大提高，进而降低了串连阀中少数可控硅模块长时间承担过高电压而毁坏的几率。触发线路构成与运行原理触发线路内部结构如下图1所显示，包括下列几个部份。1)单相隔离配电变压器T1变比为AC220/AC220、1次侧与2次侧间绝缘电压35kV，为脉冲电路供应生成脉冲电流所需要的能量。2)充电限流电阻R3限制电容C1的充电电流。3)防反流二极管D0避免电容C1向变压器T1倒送能量...

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igbt动态指标的基本信息介绍

2021-12-15

igbt动态指标是分析评估igbt开关特性如开关频率、开关损耗、死区时间、驱动功率等的重要凭证，文中主要探讨下列动态指标：模块内部栅极电阻、外部栅极电阻、外部栅极电容、IGBT寄生电容指标、栅极充电电荷、IGBT开关时间指标，结合igbt静态指标可全方位分析评估IGBT芯片的特性。 RGint：模块内部栅极电阻：为了能完成模块内部芯片均流，模块内部集成有栅极电阻。该电阻值应当被当作总的栅极电阻的一部分来测算IGBT驱动器的峰值电流实力。RGext：外部栅极电阻：外部栅极电阻由客户设定，电阻值会导致IGBT的开关特性。图上中开关检测条件中的栅极电阻为Rgext的最小推荐值。客户可...

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