新闻列表 - 传承电子科技(江苏)有限公司 - IGBT模块_可控硅模块

igbt模块并接均流

2022-01-05

igbt模块是三端元器件，芯片内部构造含有有栅极、集电极和发射极，等效线路如下图2-1所显示，在igbt模块的栅极G和发射极E间加+15V标准电压，则igbt模块导通，倘若集电极有上拉电阻，集电极和发射极电压就会变成0.2V，即集电极与发射极间因为门极添加正电压而成低阻状态促使igbt模块饱和导通;若在igbt模块的栅极G和发射极E间添加-15V则igbt模块反方向截止，添加负压而不是OV的目的是使igbt模块可快速而可靠的关断，对igbt模块实际选择有重要意义。随着igbt模块在电气领域的普遍使用，并接的形式使商品具备更高的功率密度、均匀的基板热分布、灵活的布局及较高的性价比等优势。但，静态和动...

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单方向可控硅模块调光线路

2022-01-04

如下图所示是一个非常简单的单方向可控硅模块调光灯线路，它将2只3～5A／600V单方向晶闸管反方向并接，再用1只100kΩ电位器将两者的门极连在一起，便可构成1个负载功率为200W的无级调光器。单方向可控硅模块操控的调光灯线路图文中讲解的是1款具有稳光作用的晶管调光灯线路图。如下图所示，图上S为稳光开关，当S打开时，占是一个普通的单方向可控硅模块调光器，控制电位器RP，可随便控制灯管E的光亮度。当S台上时，即是自动稳光，R;与光敏电阻器RI.构成分压器，借助二极管VD5也向电容C充电。当环境光源较暗时，RI.的电阻值增加，VD5右边电位提高，因此向电容C充电速率加快，v:r导通角增...

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igbt功率模块基本原理

2021-12-31

方式：igbt功率模块是将强电流、高压用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。因为实现1个较高的击穿电压BVDSS需要1个源漏通道，而这一通道却有着很高的电阻率，因此导致功率MOSFET有着RDS（on）数值高的特点，igbt模块清除了现有功率MOSFET的一些主要弊端。尽管最新一代功率MOSFET元器件大幅度优化了RDS（on）特点，但在高电平时，功率导通耗损依然要比igbt模块技术高过很多。较低的压降，转变成1个低VCE（sat）的能力，和igbt模块的构造，相同标准双极元器件对比，可支撑更高电流密度，并简单化igbt模块驱动器的电路原理图。导通：igbt模块硅片的构造...

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高频开关电源与可控硅整流模块的差别

2021-12-30

高频开关电源与可控硅整流模块有什么不同?(以18V8000A举例)1、效率：可控硅整流模块：约70%;高频开关电源：90%;2、变压器：可控硅整流模块：构成有工频变压器，体型十分大，净重为200kg;高频开关电源：无工频变压器，高频变压器，净重30kg;3、调节设备：可控硅整流模块：可控硅;高频开关电源：igbt模块;4、节能效率：可控硅整流模块：欠佳;高频开关电源：省电显著，与一般的可控硅对比，可节约用电15%至30%;5、负载启动和停止：可控硅整流模块：未经授权;高频开关电源：授权;6、控制线路：可控硅整流模块：复杂，具备...

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igbt模块工作原理

2021-12-29

IGBT模块是什么igbt模块即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）构成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优势。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流比较大；MOSFET驱动功率较小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。igbt模块综合了以上2种元器件的优势，驱动功率小而饱和压降低。特别适合用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明线路、牵引传动等行业。 igbt模块构造图上所显示为1个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管构造，N+区称作源区，附于其上的电极称作源极（即发射极E）...

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