新闻列表 - 传承电子科技(江苏)有限公司 - IGBT模块_可控硅模块

可控硅模块检测时的注意事项

2021-07-22

（1）在检测大功率GTO元器件时，提议在R×1档外部串接一节1.5V电池E′，以增强检测电压和检测电流，使GTO可靠地导通。（2）要精确测量GTO的关断增益βoff，需要有专用测试设备。但在业余条件下可以用以上办法完成估测。鉴于检测条件不一样，测量结果仅作参考，或做为相对比较的依据。逆导可控硅RCT(Reverse-ConducTI社区">TIngThyrisTI社区">TIr)亦称反向导通可控硅。其特性是在可控硅的阳极与阴极间反方向并接1只二极管，使阳极与阴极的发射结均呈短路模式。鉴于这种特殊线路构造，使之具备耐高压、耐高温、关断时间短、通态电压低等优良性能。比如，逆导可控硅的...

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igbt串联谐振式电压型逆变运行环节

2021-07-21

当VT2开通时，伴随着电流的升高，在线路杂散电感Lm的影响下，促使Uab降低到Vcc－Ldi／dt，此时前一运作周期以被充电到Vcc的缓冲电容C1，利用VT1的反并接二极管VD1、VT2和缓冲电阻R2放电。在缓冲线路中，流过反并接二极管VD1的瞬时导通电流ID1为流过线路杂散电感电流IL和流过缓冲电容C1的电流IC之和。即ID1＝IL＋IC，所以IL和di／dt相比于无缓冲线路要小得多。当VT1断开时，因为线路杂散电感Lm的影响，使Uce迅速升高，并高于母线电压Vcc，此时缓冲二极管VD1正方向偏置，Lm中的储能（LmI2／2）向缓冲线路转移，缓冲线路吸收了贮能，不会导致Uce的明显升高。因为...

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可控硅用数字万用表判别好坏

2021-07-21

下边分别讲解利用数字万用表判别GTO电极、检测GTO的触发能力和断开能力、估算断开增益值βoff的办法。1．判别GTO的电极将数字万用表拨至R×1档，检测任意两脚间的电阻值，仅当黑电笔接G极，红电笔接K极时，电阻值呈低阻值，对其余情况电阻值均为无穷大。因此可快速判别G、K极，剩下的便是A极。2．检测触发能力先将表Ⅰ的黑电笔接A极，红电笔接K极，电阻值为无穷大；之后用黑表笔尖也同时接触G极，添加正方向触发信号，指针往右边偏转到低阻值即表明GTO已经导通；最后松掉G极，只要GTO保持通态，就表明被测管具备触发能力。3．检测关断能力现选用双表法检测GTO的关断能力，表Ⅰ的档位及接法维持不变。...

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igbt功率模块串联谐振式电压型逆变器的原理

2021-07-20

倘若igbt模块栅极与发射极间的电压，即驱动电压过低，则igbt模块无法稳定正常地运行，倘若过高超出栅极-发射极间的耐压则igbt模块可能永久性毁坏;同样，倘若加在igbt模块集电极与发射极容许的电压超出集电极-发射极间的耐压，流过igbt模块集电极-发射极的电流超出集电极-发射极容许的最大电流，igbt模块的结温超出其结温的允许值，igbt模块都可能会永久性毁坏。绝缘栅极双极型晶体管（igbt模块）igbt模块串联谐振式电压型逆变器的原理该电源选用半桥构造串联谐振逆变电路，主电路原理如图。在大功率igbt模块谐振式逆变电路中，主线路的构造对整个产品的性能非常关键，因为线路中存在引线寄生电感，igbt模块开关...

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可控硅模块的内部结构运行原理

2021-07-19

式（1—1）中，在可控硅导通后，1-（a1+a2）≈0,即便这时门极电流Ig=0,可控硅仍能维持原先的阳极电流Ia而继续导通。可控硅在导通后，门极已失去作用。在可控硅导通后，倘若持续的减少电源电压或增加回路电阻，使阳极电流Ia减少到维持电流IH之下时，因为a1和a1快速下降，当1-（a1+a2）≈0时，可控硅恢复阻断情况。可断开可控硅GTO（GateTurn-OffThyristor）亦称门控可控硅。其主要特点为，当门极加负向触发信号时可控硅能自动断开。前已述及，普通可控硅（SCR）靠门极正信号触发以后，撤除信号亦能保持通态。欲使之断开，必需断开电源，使正方向电流低过保持电流IH，或施加反方向电压强近断开。这...

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