新闻列表 - 传承电子科技(江苏)有限公司 - IGBT模块_可控硅模块

igbt逆变器原理

2021-07-19

igbt模块（绝缘栅双极型晶体管），是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）构成的复合全控型电压驱动式输出功率半导体元器件，兼具MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两层面的优势。GTR饱和压下降，载流密度大，但驱动电流比较大;MOSFET驱动输出功率较小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。igbt模块结合了上述2种元器件的优势，驱动输出功率小而饱和压下降。特别适合运用于直流电压为600V及上述的变流系统如交流电机、变频器、开关电源电路、照明线路、牵引传动等行业。现阶段国内缺少高品质IGBT模块，近乎全部靠进口。绝缘栅双极晶体管（igbt模块）是高压开关家族中极其年轻的1位。由1个15V高阻抗...

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可控硅的内部运行过程

2021-07-16

从可控硅的内部结构解析运行过程：可控硅是四层三端元器件，它有J1、J2、J33个PN结,够把它中间的NP分为两部分，组成1个PNP型三极管和1个NPN型三极管的复合管。当可控硅承受正方向阳极电压时，为使可控硅导通，务必使承受反方向电压的PN结J2失去阻挡功能。每一个晶体管的集电极电流并且也是另1个晶体管的基极电流。所以，2个相互复合的晶体管线路，当有一定的门机电流Ig流入时，便会产生很强的正反馈，导致两晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。设PNP管和NPN管的集电极电流对应为Ic1和Ic2；发射极电流对应为Ia和Ik；电流放大系数对应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，设流经J2结的反相漏电电流为Ic0, ...

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igbt功率模块过流保护功能扩展

2021-07-16

消除igbt模块集-栅极间的du/dt图5所显示为EXB841与igbt模块栅-射极间的连接线路原理图。当驱动线路中的V4导通时，igbt模块处在正常导通模式，当V5导通时，igbt模块栅-射极间利用稳压管VZ2提供一个-5V电压加在其两端，使igbt模块断开，这时V5处在临界导通模式，稳压管VZ2处在方向偏置模式。但因为集-栅极间分布电容的影响，集-栅极间的du/dt增大时，其利用分布电容产生的电流经过，因此，要解决集-栅极间的du/dt，保证稳压管不过压，防止igbt模块误导通。解决du/dt的办法有两种：一是驱动线路输出与igbt模块栅-射极间的连线选用双绞屏蔽电缆，屏蔽层接地，二是选用快速吸收线路吸收过压。 ...

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可控硅模块的运行原理

2021-07-15

可控硅（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又可称作可控硅整流器，之前被简称为可控硅；1957年美国通用电器公司研发出世上第1 可控硅产品，并于1958年使其商业化；可控硅是PNPN四层半导体构造，它有3个极：阳极，阴极和门极；可控硅运行状况为：加正方向电压且门极有触发电流；其伴生元器件有：快速可控硅，双向可控硅，逆导可控硅，光控可控硅等。它是1种大功率开关型半导体元器件，在线路内用文字符号为“V”、“VT”表达（旧标准内用字母“SCR”表达）。可控硅的工作原理可控硅T在运行过程中，它的阳极A和阴极K与电源和负载连接，组成可控硅的主线路，可控硅的门极G和阴极K与控制可控硅的装置连接，组成可控硅的控制电路...

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igbt驱动线路的过电压保护

2021-07-15

igbt集-射极间的瞬时过压会对igbt模块造成毁坏，小编选用箝位式吸收线路对瞬时过压进行抑止。当igbt模块导通时，因为二极管的作用，电容器的电荷不会被放掉，电容器电压仍为电源电压。igbt模块断开时，负载电流仍流过igbt模块，直到igbt模块集-射极间电压实现电源电压，续流二极管导通。应用该线路，能够使杂散电感中的能量利用二极管转储到吸收电容器中，而igbt模块的集电极电位被箝位在电容电压上，如此就可以抑止igbt模块集电极的尖峰电压。吸收电容器的容值能够按公式（2）选取：式中，L是引线电感;i是igbt模块断开时的电流;△U是吸收电容器上的电压过冲。当吸收电路中的电容器电压...

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