新闻列表 - 传承电子科技(江苏)有限公司 - IGBT模块_可控硅模块

igbt模块之阻断与闩锁

2021-05-28

当集电极被提升1个反方向电压时，J1便会遭受反方向偏压控制，耗尽层则会向N-区扩展。因太多地降低这个层面的厚度，将不能获得1个有效的阻断能力，因此，这一机制极为重要。另一方面，倘若过大地提升这一区域尺寸，便会连续地提高压降。第二点清晰地表明了NPT器件的压降比等效(IC和速度一样)PT器件的压降高的原因。当栅极和发射极短路并在集电极端子提升1个正电压时，P/NJ3结受反方向电压控制。这时，依然是由N漂移区中的耗尽层承担外界提升的电压。igbt模块在集电极与发射极间有个寄生PNPN晶闸管，如图1所示。在一定条件下，这类寄生器件会导通。这类情况会使集电极与发射极间的电流量增加，对等效MOSFET的控制能力减少，一般也会造...

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双向可控硅模块的特点及作用

2021-05-27

1.双向可控硅模块替的主要优势表现在：（1）大功率双向可控硅模块为无触点式开关，无火苗、使用期长、体型小、没有噪音；（2）接触器运行时，其控制线路要消耗相应的电能，而可控硅模块为弱电控制，控制线路耗电微乎其微；（3）接触器控制回路中，作业者触及的元器件电压都较高，不安全，而大功率双向可控硅模块控制回路中作业者只触及5~15V的直流低压电源，十分安全可靠；（4）大功率双向可控硅模块为弱电控制强电，弱电线路更新便捷，较易于制定出满足各种要求的控制回路。 2.双向可控硅模块替在线路中的主要用途双向可控硅模块最基本的作用是可控整流。大家熟知的二极管整流线路归于不可控整流线路。倘若把二极...

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igbt模块原理

2021-05-26

1、方法igbt模块是强电流、高电压使用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于完成1个较高的击穿电压BVDSS要1个源漏通道，而这一通道却具备很高的电阻率，因此导致功率MOSFET具备RDS(on)数值高的特性，igbt模块有着了现有功率MOSFET的这些主要缺陷。尽管最新一代功率MOSFET器件极大幅度改善了RDS(on)特性，但在高电平时，功率导通耗损依然要比igbt模块技术超出很多。较低的压降，转变成1个低VCE(sat)的能力，及其igbt模块的结构，同一标准双极器件相比，可支持更高一些电流密度，并简单化igbt模块驱动器的原理图。 2、导通igbt模块硅片的构造与功率MOSF...

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双向可控硅几大基本要素解析

2021-05-26

一、双向可控硅模块介绍双向可控硅模块TRIAC为三端双向可控硅模块开关，亦称作双向晶闸管或双向可控硅模块。TRIAC为三端元器件，其三端各为T1（第2端子或第2阳极），T2（第1端子或第1阳极）和G（控制极）亦为一闸极控制开关，与SCR最大的不同之处取决于TRIAC不论于顺向或反向电压时皆可导通，其符号结构及外型，如图1所示。二、双向可控硅模块触发特点因为TRIAC为控制极控制的双向可控硅模块，控制极电压VG极性与阳极间之电压VT1T24种组合各如下：（1）、VT1T2为正，VG为正。（2）、VT1T2为正，VG为负。（3）、VT1T2为负，VG为正。（4）、VT1T...

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igbt模块的动态特性

2021-05-25

igbt模块在导通过程中，大多数时间是当作MOSFET来运作的，仅仅在漏源电压Uds降低过程后期，PNP晶体管由放大区至饱和，又增多了一段延迟时间。td(on)为导通延迟时间，tri为电流上升时间。实际上使用中常给出的漏极电流导通时间ton即是td(on)tri之和。漏源电压的下降时间由tfe1和tfe2组成。 igbt模块的触发和断开需要给其栅极和基极间加之正方向电压和反向电压，栅极电压可由不一样的驱动电路形成。当选用这类驱动电路时，需要依托于下列的参数来进行：器件断开偏置的需要、栅极电荷的需要、耐固性需要和电源的状况。由于igbt模块栅极-发射极阻抗大，故可使用MOSFET驱动工艺进行触发，但是由于igbt模块的...

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