可控硅模块整流线路波形分析

2021-05-24

1、单相半波可控整流(1)电阻性负载(见图1)电阻性负载,id波形与ud波形类似,由于可控硅模块T与负载电阻Rd串连,因此id=id。可控硅模块T承担的正方向工作电压随控制角α而变动,但它承担的反方向工作电压往往是负半波工作电压,负半波工作电压的最大值为U2。线路简易,常用在需求不高的电阻负载的情况。(2)感性负载(不带续流二极管,见图5): 图5电感性负载无续流二极管电机电器的电磁线圈、带电感滤波的电阻负载等均是电感性负载。电感有着障碍电流变化的功能可控硅模块T导通时,其压降uT=0,但电流id只能从零开始上升。id增加和减少时线圈Ld两边的感应电动...

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igbt模块基础知识梳理

2021-05-21

有关igbt模块你了解多少,igbt模块(InsulatedGateBipolarTransistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)构成的复合全控型电压驱动式功率半导体元器件,兼具MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两层面的优势。GTR饱和压减少,载流密度大,但驱动电流很大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。igbt模块综合了上述2种元器件的优势,驱动功率小而饱和压减少。特别适合用于直流电压为600V及上述的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等行业。构造igbt模块结构图左边所显示为1个N沟道增强...

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可控硅整流线路:单相桥式半控整流线路

2021-05-20

1、工作原理线路与波型如下图3所显示 图3、单相桥式半控整流正半周:t1时刻添加ug1,T1导通,电流通路如下图实线所显示。uT1=0,ud=u2,uT2=-u2。u2过零时,T1自行断开。负半周:t2时刻添加ug2,T2导通,电流通路如下图虚线所显示,uT2=0,ud=-u2,ut1=u2。u2过零时T2自行断开。2、各电量关联由图3看得见,ud波型为非正弦波,其幅值为半波整流的2倍,因此Rd上的直流电压Ud: 直流电流Id: 电压有效值U: 电流有效值I: 功率因数cosψ: 比...

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igbt模块驱动线路的电流尖峰抑止方案

2021-05-19

按照脉冲渗碳电源需,文中设计了1种有着可靠性高、信号传递无延缓、驱动水平强等特性的igbt模块强驱动线路,深入分析了原理,并对线路检测中造成的电流尖峰建立了抑止。在这个基础上获得几个关键影响驱动线路的原因。实际用作大功率igbt模块桥线路驱动,运行稳定可靠。结果显示,所设计的线路构造简易,驱动水平强,可靠性高,且对用变压器驱动大功率全桥线路有通用性。在脉冲电源中,驱动线路的优劣直接影响到逆变器是否正常的运行。好的驱动线路第一步要确保开关管确保,第二还需使开关管有着较小的耗损。这二者之间还是矛盾的。因为由功率开关元件引发的耗损主要是开关损耗(导通耗损和关断耗损)。开关损耗与驱动脉冲信号的上升沿陡度...

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可控硅模块整流线路:单相半波可控整流线路

2021-05-18

1、工作原理线路和波型如下图1所显示,设u2=U2sinω。 图1单相半波可控整流正半周:0<t<t1,ug=0,T正方向阻断,id=0,uT=u2,ud=0t=t时,添加ug脉冲,T导通,忽视其正方向压降,uT=0,ud=u2,id=ud/Rd。负半周:π≤t<2π当u2自然过零时,T自行断开而处在反方向阻断情况,ut=0,ud=0,id=0。 从0到t1的电度角为α,叫调控角。从t1到π的电度角为θ,叫导通角,显而易见α+θ=π。当α=0,θ=180度时,可控硅模块全导通,与不控整流相同,当α=180度,θ=0度时,可控硅模块全断开,输出电压为...

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