新闻列表 - 传承电子科技(江苏)有限公司 - IGBT模块_可控硅模块

igbt模块辨别测试

2021-04-22

igbt模块绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)构成的复合全控型工作电压驱动式功率半导体元器件，兼具MOSFET的高输入电阻和GTR的低导通压降两层面的优势。GTR饱和压下降，载流密度大，但驱动电流过大;MOSFET驱动功率较小，控制开关速度快，但导通压降大，载流密度小。igbt模块结合了上述2种元件的优势，驱动功率小而饱和压下降。特别适合用于直流电压为600V及上述的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明线路、牵引传动等方面。igbt模块的辨别测试：辨别极性：先将数字万用表拨在RTImes;1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其余两极电阻值为无穷大，对换表笔后该极与...

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可控硅模块：向强电冲击的先锋

2021-04-25

可控硅模块是可控硅整流元件的简称，是1种有着3个PN 结的四层构造的大功率半导体元器件。事实上，可控硅模块的功能不但是整流，它还能作为无触点开关以快速连接或断开线路，完成将直流电转换成交流电的逆变，将1种频率的交流电转换成另一种频率的交流电，等。可控硅模块和其它半导体元器件一样，其有体型小、工作效率高、稳定性能好、运行可靠等优势。它的形成，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业生产、农牧业、交通运输、军事科研以及商业、民用型电器等层面争相使用的元件。可控硅模块的主要参数有：1、额定通态平均电流量IT在相应条件下，阳极---阴极间能够持续通过的50赫兹正弦半波电流量的平均值。2、正向阻断峰值...

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igbt模块的动态特性

2021-04-19

igbt模块在导通环节中，大多数时长作为MOSFET来运作的，只是在漏源工作电压Uds下降环节后期，PNP晶体管由放大区至饱和，又增添了一段延迟时间。td(on)为导通延迟时间，tri为电流量上升时间。具体用中常供应的漏极电流量导通时间ton就是td(on)tri之和。漏源工作电压的下降时间由tfe1和tfe2构成。igbt模块的触发和断开标准给其栅极和基极间添加正向工作电压和负向工作电压，栅极工作电压可由不同的驱动电路形成。当选用这类驱动电路时，务必依托于下列的参数来实现：元件断开偏置的标准、栅极电荷的标准、耐固性标准和电源的情况。由于igbt模块栅极-发射极阻抗大，故可用MOSFET驱动技术实现触发，不过由于igbt模块...

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可控硅模块元器件失控的原因

2021-04-19

可控硅模块做为1种电子线路中常用的元器件，是很多工程师们都熟知的元器件之一。在平常的使用过程中，可控硅模块有时候会因为一些因素失去控制，那导致可控硅模块失去控制的常用因素都有哪些呢?实际上导致可控硅模块失控的情形，大致上可分成3类，在今天的文章中，我们将会就可控硅模块元器件失控的3个因素展开详细分析。可控硅模块元器件失控的原因：1、第1个因素，即可控硅模块的正向阻断力降低。在平常的使用中，一旦可控硅模块长时间不用，而同时又因为密封不好的缘故受潮，那可控硅模块元器件正向阻断作用是很容易降低的，可控硅模块元器件的正向阻断作用降低到低于整流变压器的2次电压，硅元器件就不必等触发脉冲来便会自然的导通，导致脉冲控制无法起作用，...

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igbt模块的静态性能原理

2021-04-16

IGBT模块是由igbt模块(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)利用相应的线路桥接封装而成的模块化半导体商品;封装后的IGBT模块直接用于变频器、UPS不间断电源等设备上;IGBT模块具备节能、组装检修便捷、散热稳定等优点;目前市面上出售的多为这类模块化商品，通常所说的igbt模块也指IGBT模块;随之节能环保等概念的推广，这类商品在市面上将越来越多见;igbt模块是能源转换与传输的核心元件，通称电力电子装置的“CPU”，做为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等方面用极广。 igbt模块的静态性能静态性能主要有伏安性能、转移性能和控制开关性能。(1...

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