新闻列表 - 传承电子科技(江苏)有限公司 - IGBT模块_可控硅模块

过零检测对可控硅调光的意义你知道吗？

2021-04-15

过零检测在开关电源线路中通常是被用作完成线路或频率检测用。而在可控硅调光线路中，过零检测的功能相同关键。因此在可控硅调光中过零检测的效果是什么?是不是能够借助PWM来完成控制从借助转变高低电平来对可控硅模块通断完成控制呢?要想弄清过零检测在可控硅调光中的功能效果，第一步就要了解过零检测。过零检测通常出现在工频电源中，如平常生活中的开关灯，全是在不经意间断开或连接市电，看上去简单，但只要仔细考虑，便会发现当电源电压恰好抵达最大值时线路被断开或被连接，对负载的冲击非常大，大功率负载更严重。因此对感性负载或容性负载来说，其情况的严重程度显而易见，同样的其对电源的冲击干扰是相同的。因此开、关运作在电源电压值降为0...

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高压igbt模块中压变频器的特性

2021-04-14

semipower系列产品中压变频器选用了实战有着出色性能的矢量转换磁场定向控制原理，即优化的空间矢量和脉宽调制方式，使用高压igbt模块和三电平技术而取得了优异的输出电压特性。在设计上综合考虑了各样负载状况，能适用风机、泵类，挤压机，提升机，皮带机，活塞式压缩机，卷取机，开卷机等各种运用。使用模块化技术优化传动装置，可选用12或24脉波二极管整流器，或输入端选用有源前端都能够取得高动态性能、高可靠性和最合适的性能价格比。现阶段1500kVA之下电压源型变频器大部分选用二电平线路构造，将中间直流电路的正极电位或负极电位接到电机上。为达到变频器容量和輸出电压等级的需求，并降低谐波及dv/dt，出现用于GTO或高...

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可控硅模块(晶闸管)原理解析

2021-04-06

可控硅模块T在工作环节中，它的阳极A和阴极K与电源和负载联接，组成可控硅模块的主线路，可控硅模块的门极G和阴极K与控制可控硅模块的装置联接，组成可控硅模块的控制电路。从可控硅模块的内部解析工作环节：可控硅模块是四层三端器件，它有J1、J2、J33个PN结图1，能够把它中间的NP分为两部分，组成1个PNP型三极管和1个NPN型三极管的复合管图2当可控硅模块承担正向阳极电压时，为使可控硅模块导铜，需要使其承担反向电压的PN结J2失去阻挡功能。图2中每一个晶体管的集电极电流量同时也是另1个晶体管的基极电流量。所以，2个互相复合的晶体管线路，当有充足的门机电流量Ig流入时，便会产生很强的正反馈，导致两晶体管饱和导通，...

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高压igbt模块变频器介绍

2021-04-06

电力电子技术、微电子技术与控制理论的相结合，有效地推动了交流变频调速技术的发展。近几年来，具备驱动电路和保护作用的智能igbt模块的应用领域使得变频器构造更为紧凑且可靠。与其它电力电子元件对比，igbt模块具备可靠性高、驱动简单、保护容易、无需缓冲线路和开关频率高等优势。鉴于此，开发高电压、大电流量、频率高的高压igbt模块并将其应用领域到变频调速器中以取得输出电压等级更高的设备变成人们关注的重点。中压变频器的开发与电力电子元件如高压igbt模块、GTO、IGCT等元件研制水准和使用水准息息相关，伴随着高电压、大电流量igbt模块的推出，给中压变频器注入了新的活力。电力电子元件的发展经历了晶闸管模块(SCR)...

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晶闸管模块的伏安特点

2021-04-06

晶闸管模块阳极A与阴极K之间的电压与晶闸管模块阳极电流量之间关系称为晶闸管模块伏安特点，如图2所所示。正向特点位于第一象限，反向特点位于第三象限。图2晶闸管模块伏安特点参数示意图（1）反向特点当门极G开路，阳极加反向电压时（见图3），J2结正偏，但J1、J2结反偏。这时只有流过很小的反向饱和电流，当电压进一步提升到J1结的雪崩击穿电压后，并且J3结也击穿，电流量快速提升，如图2的特点曲线OR段开始弯曲，弯曲处的电压URO称为“反向转折电压”。之后，晶闸管模块会造成永久性反向击穿。（2）正向特性当门极G开路，阳极A添加正向工作电压时（见图4），J1、J3结正偏，但J2结反偏，这与...

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