新闻列表 - 传承电子科技(江苏)有限公司 - IGBT模块_可控硅模块

IGBT功率模块短路故障耐受能力

2021-03-31

igbt模块短路故障耐受时长与其跨导或增益及igbt模块芯片热容量相关。更高的增益造成igbt模块内的短路电流更高，所以很明显增益较低的igbt模块具备较低的短路故障电平。但是，较高增益同样会造成较低的通态导通耗损，因此需要作出衡量抉择。1、igbt模块工艺的发展正在促使增多短路电流电平，但降低短路故障耐受时长这一趋向。另外，工艺的进步促使用芯片尺寸更小，2、缩小了模块规格，但降低了热容量，以至耐受时长进一步缩短。3、还与igbt模块集电极-发射极电压有很大关系，因此工业生产驱动趋于更高直流总线电压电平的并行趋向进一步减少了短路故障耐受时长。过去，这一时间范围是10μs，但近几年来的趋向是在往5μs3及某些条...

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IGBT在工业生产环境有哪几个短路故障？

2021-03-30

工业生产电机驱动的整体行业发展趋势是对更高效率及可靠性和稳定性的标准频频提升。关于增多绝缘栅极双极性晶体管（igbt模块）导通耗损的一些衡量抉择是：更高的短路电流电平、更小的芯片尺寸，及更低的热容量和短路耐受时长。这突显了栅极驱动器电路及过电流检测和保护作用的必要性。下列内容讲述了如今工业电机驱动中顺利可靠地完成短路保护的状况，并且出示三相电机控制应用中隔离式栅极驱动器的试验性示例。工业生产环境中的短路故障哪几个？工业生产电机驱动器的作业环境比较恶劣，也许出现高温、交流电路瞬变、机械过载、接线有误及其余突发状况。当中一些事件很有可能会造成过大的过流进入电机驱动器的功率电路中。图1展示了3种常见的短路故障事件。 ...

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双向可控硅的检测方式

2021-03-30

以下讲述利用数字万用表RXl档判别双向可控硅电极的方式，以及还检查触发能力。 1、判别T2极G极与T1极接近，距T2极较远。所以，G―T1中间的正、反方向电阻值都不大。在使用RXl档测任意两脚中间的电阻值时，仅有在G-T1中间呈现低阻，正、反方向电阻值仅几十欧，而T2-G、T2-T1中间的正、反方向电阻值均为无穷大。这表明，倘若测到某脚和其余两脚都不通，就肯定是T2极。此外，使用TO―220封装的双向可控硅，T2极一般与小散热板连接，由此也可以确认T2极。2、区别G极和T1极(1)找到T2极后，首先假设余下两脚中某一脚为Tl极，另一脚为G极。(2)把黑表笔接T1极，...

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双向可控硅构造原理及运用

2021-03-30

双向可控硅是在普通可控硅的根本上发展而成的，它不但能替代2只反极性并联的可控硅，且仅需1个触发线路，是当前较为良好的交流开关元件。 1、基本构造原理尽管从形式上可将双向可控硅当做2只普通可控硅的组合，但其实它是由7只晶体管和多个电阻组成的功率集成元件。小功率双向可控硅通常选用塑料封装，有的还带散热板，外型如图l所示。大功率双向可控硅大多选用RD91型封装。双向可控硅的主要参数见附表。2、常见的使用领域双向可控硅普遍用作工业、交通、电器产品等区域，完成交流调压、电机调速、交流开关、灯具自动开启与关闭、温度控制、台灯变光、舞台变光等多种作用，它还被用作固态继电器(SSR)和固态接触器线路...

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igbt模块的过热保护方法

2021-03-29

igbt模块的损耗功率关键涉及开关损耗和导通损耗，前面一种随开关频率的增高而增大，占整体损耗的主要部分;后面一种是igbt模块控制的平均电流与电源电压的乘积。因为igbt模块是功率大的半导体器件，损耗功率使其发热较多(尤其是Rg选择偏大时)，加上igbt模块的结温无法高于125℃，不适合长期性运行在较高环境温度下，所以要选用得当的散热方案进行过热保护。散热通常是选用散热器(涉及普通的散热器与热管散热器)，并可进行强迫风冷。散热器的架构设计应符合：Tj=P△(Rjc+Rcs+Rsa)《Tjm式中Tj-igbt模块的运行结温P△-损耗功率Rjc-结-壳热阻Rcs-壳-散热器热阻R...

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