新闻列表 - 传承电子科技(江苏)有限公司 - IGBT模块_可控硅模块

中压igbt模块变频器用电力电子器件的比较

2021-04-02

20世纪80年代可关断晶闸管模块GTO的商品化推动了交流调速技术的发展，与SCR对比其属于自关断元件，因为取消了强迫换流线路，优化了在交流电力机车中大量选用的逆变器线路，近年来GTO的容量为6000A/6000V，在电力机车调速中大多选用（3000～4000）A/4500V，中压变频器功率范围多在（300～3500）kW以内，属于较小的功率范围。GTO开关频率较低，需要结构复杂的缓冲线路和门极触发线路，用门极负电流脉冲关断GTO，其值接近其阳极电流量的1/3，如关断3000A/4000V的GTO，需750A的门极负脉冲电流，其门极触发线路要数个MOSFET并接的低电感线路，而相同的高压igbt模块仅需5A的导通和断开电流。G...

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可控硅模块的工作原理

2021-04-02

可控硅模块是PNPN四层三端元器件，共有3个PN结。解析原理时，可以把它当作是由1个PNP管和1个NPN管所组成，其等效电路图解如图1（a）所示，图1（b）为可控硅模块的电路符号。图1可控硅模块等效电路图解图可控硅模块的工作原理可控硅模块是四层三端元器件，它有J1、J2、J33个PN结，可以把它中间的NP划分两部分，组成1个PNP型三极管和1个NPN型三极管的复合管。（1）当可控硅模块承担正向阳极工作电压时，为使可控硅模块导通，必须使承担反向工作电压的PN结J2失去阻挡作用。每一个晶体管的集电极电流同时便是另1个晶体管的基极电流。所以是2个互相复合的晶体管线路，当有足够的门极电流Ig流入时，...

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晶闸管模块的基本参数

2021-04-01

1、晶闸管模块（SCR）晶体闸流管通称晶闸管模块，也叫做可控硅整流元器件（SCR），是由3个PN结组成的1种大功率半导体元器件。在特性上，晶闸管模块不但具备单向导电性，并且还具备比硅整流元器件更加可贵的可控性，它仅有导通和断开2种模式。晶闸管模块的优势很多，比如：以小功率把控大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应超快，在微秒级内导通、断开；无触点运作，无火花、无噪音；工作效率高，成本费用低等。因此，尤其是在大功率UPS供配电系统中，晶闸管模块在整流电路、静态旁路开关、无触点输出开关等线路中受到广泛的使用。晶闸管模块的缺点：静态及动态的过载保护能力较弱，易受干扰而误导通。晶闸管模块从外型上种类主要有：螺...

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IGBT生产厂家介绍如何避免瞬时逆变器导通

2021-04-01

除开系统故障造成的短路，瞬时逆变器导通一样会产生在正常运行情况下。此时，igbt模块导通需求igbt模块驱动至饱和区域，在该区域中导通耗损最低。这往往代表着导通状态时的栅极-发射极工作电压超过12V。igbt模块断开需求igbt模块驱动至运行截止区域，便于在高端igbt模块导通时成功阻隔两边的反向高电压。原则上讲，能够通过使igbt模块栅极-发射极工作电压下降至0V实现该目标。然而，必须考虑到逆变器臂上低端晶体管导通时的副作用。导通时开关节点工作电压的快速变动造成容性感应电流流过低端igbt模块寄生密勒栅极-集电极电容（图3中的CGC）。该电流量流过低端栅极驱动器（图3中的ZDRIVER）断开阻抗，在低端...

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IGBT功率模块厂家：过流或短路处理方法

2021-03-31

去饱和检测利用igbt模块自身作为电流检测元器件。工作原理中的二极管保障igbt模块集电极-发射极电压在导通的时候仅面临检测电路的监控；正常的运行时，集电极-发射极电压比较低（典型值为1V至4V）。但是，倘若出现短路事件，igbt模块集电极电流上升到驱动igbt模块退出饱和状态区并进到线性工作区的电平。这造成集电极-发射极电压快速升高。上述正常电压电平可以用来表示存有短路，而去饱和状态跳变阈值电平一般在7V至9V区域内。重要的是，去饱和状态还可表示栅极-发射极电压过低，且igbt模块未完全驱动至饱和状态区。进行去饱和状态检测部署时需仔细，以防误触发。这尤其将会出现在igbt模块尚未完...

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