新闻列表 - 传承电子科技(江苏)有限公司 - IGBT模块_可控硅模块

igbt模块的过压保护线路

2021-03-29

igbt模块在由导通情况关断时，电流Ic忽然变小，鉴于线路中的杂散电感与负载电感的作用，将在igbt模块的c、e两边形成很高的浪涌尖峰电压uce=Ldic/dt，加上igbt模块的耐过压能力较弱，如此便会使igbt模块击穿，所以，其过压保护也是极为关键的。过压保护能从下列几个层面实现：(1)尽量减少线路中的杂散电感。做为模块设计制作者而言，要提升模块内部构造(如选择分层线路、缩减有效线路面积等)，缩减寄生电感，做为使用者而言，要提升主线路构造(选择分层布线、尽可能减少连接线等)，缩减杂散电感。此外，在整体线路上多加一点低阻低感的退耦电容，进一步缩减线路电感。所有这些，针对直接缩减igbt模块的关断过电压均有不错的效果。 ...

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igbt模块的过流保护线路设计

2021-03-29

过流保护用PTC热敏电阻利用其电阻值突变限制全部线路中的损耗来降低残留电流值。可替代传统式的保险丝，普遍用在马达、变压器、开关电源、电子线路等的过流过热保护，传统式的保险丝在线路熔断后难以自动恢复，而过流保护用PTC热敏电阻在故障移除后就能恢复到预保护状态，当再次发生故障时又可以完成其过流过热保护作用。对igbt模块的过流检测保护分2种情况：主线路和控制回路中间，用于对控制回路的信号进行放大的中间线路(即放大控制回路的信号使其可以驱动功率晶体管)，称作驱动电路。安规问题，驱动电路副边与主线路有耦合关系，而驱动原边是与控制回路连在一起，主线路是一次线路，控制电流量是ELV线路，一次线路和ELV线路时间要做基本绝缘，实现...

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igbt模块保护线路设计中的必备难题

2021-03-29

igbt模块又称绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)构成的复合全控型电压驱动式功率半导体元器件，具备MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两层面的特点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。igbt模块综合了上述2种元件的特点，驱动功率小而饱和压降低。特别适合用于直流电压为600V及上述的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明线路、牵引传动等领域。IGBT模块因为具备多种优良的特性，使它取得了飞速的发展和普及，已应用到电气行业的各方各面。所以熟悉IGBT模块特性，掌握选取及使用时的注意事项对具体中的使用是极为重要的...

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双向可控硅组装有哪些方式

2021-03-29

对负载小，或电流持续时间短（低于1秒钟）的双向可控硅模块，可在自由空间运行。但大多数情况下，需要组装在散热器或散热的支架上，想要降低热阻，可控硅模块与散热器间要涂上导热硅脂。双向可控硅模块固定到散热器的主要方式有3种，夹子压接、螺栓固定和铆接。前2种方式的组装工具极易获得。许多场合下，铆接方式本文不做介绍。 1、夹子压接这是推荐的方式，热阻最小。夹子对元器件的塑封施加压力。这也适合于非绝缘封装和绝缘封装。2、螺栓固定SOT78组件含带M3成套组装零件，包含矩形垫圈，垫圈置于螺栓头和接头片中间。应当不对器件的塑料体产生任何力。①、组装环节中，螺丝刀绝不能对元器件塑料体产生任何力...

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可控硅模块的门极参数介绍

2021-03-29

①、门极触发电流：为了使可控硅模块稳定触发，触发电流Igt选用25度时max值的α倍，α为门极触发电流—结温特性系数，取特性曲线中最低操作温度时的系数。若对元器件工作环境温度无特别需求，一般α取大于1.5倍就行。②、门极压降：可以选用Vgt25度时max值的β倍。β为门极触发电压—结温特性系数，查数据信息手册可知，取特性曲线中最低操作温度时的系数。若对元器件工作环境温度无特别需求，一般β取1~1.2倍就行。触发电阻Rg=（Vcc-Vgt）/Igt③、触发脉冲宽度：为了更好地导通闸流管（或双向可控硅模块），除了要门极电流≧IGT，还需使负载电流达到≧IL（擎住电流），并按也许遇上的最低...

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