新闻列表 - 传承电子科技(江苏)有限公司 - IGBT模块_可控硅模块

可控硅模块的基本参数介绍

2021-03-29

dICOM/dt(转换电流量变化率)，导致高dICOM/dt值的原因是:高负载电流量、高电网频率（比如正弦波电流量）或者非正弦波负载电流量,这两者导致的转换电流量变化率超过最大的规定值，使双向可控硅甚至于不能支撑50Hz波形由零上升时很小的dV/dt，添加一几mH的电感和负载串连，可以限制dICOM/dt。 Hi-Com双向可控硅模块可以彻底解决高dv/dt及di/dt造成的问题，它和传统的双向可控硅模块的内部构造有区别。区别其一是内部的2个“闸流管”分隔得更佳，减轻了互相的影响。这带来以下益处：①高dVCOM/dt。能操控电抗性负载，在众多场所下无需缓冲线路，保障无故障转换。这减轻了元器件数量、底...

了解详情了解详情

igbt模块直流稳压大功率电源电路设计

2021-03-29

直流大功率电源是现阶段工业生产、照明等行业中必不可少的基本要素，也是许多技术工程师的重点制定方向。这篇文章内容介绍了一种igbt模块直流稳压大功率电源方案设计。在本设计方案中，单片机调控的逆变电源的整体框架图如图所显示，单片机调控的逆变电源的整体框架图单片机控制线路这种大功率开关电源电路倘若要保持直流稳压的运作效果，则其单片机系统控制线路要用作輸出其所需的电压、电流量，以保持从一开始所需求的开关电源的电流量和电压的稳定度，其工作关键借助程序运行来輸出恰当的操控信号。在开关电源的硬件设备系统中，单片机关键利用采样线路中的电压、电流量，与给定值对比后可自动调节，并且还可显现线路中的电...

了解详情了解详情

igbt输出整流和滤波电路

2021-03-29

我们所制定的这类大功率电源设计方案中，全桥式逆变电路的输出线路如图2所显示，这是因为二极管D7、D8都给输出端供应半周期的电流量，因此两者分摊着相等的负荷电流量，它们不用续流二极管，这是因为当1个二极管截止时，另1个二极管就导通起着了续流的功能。但对二极管的反向截止电压参数的需求就高了，它的最小值可估算为：2.4VoVimax/Vimin。图全桥式逆变器輸出线路在这个一全桥式逆变器的輸出电路系统中，其整流二极管务必具备正向降低、快速恢复的特性，还应当具备充分的输出功率。在具体运用中，整流二极管就算在大的止向电流量影响下，其正向压降也很低，仅有0.4V的样子。毕竟它具备这种优势，可使整流二...

了解详情了解详情

igbt电源的主线路及驱动线路设计

2021-03-29

大功率开关电源的主线路，通常当做实现输入功率到输出功率的能量转换。这类电源体系从遵循一般逆变的AC—DC—AC类型。在这一电源体系中，三相工频交流网络电压通过整流模块整流和滤波，受到大概540V的直流电压。该直流电压加到由功率开关管igbt模块和中频变压器构成的逆变器上。由4个功率开关管构成桥的四臂，中频变压器联接在两者中问，相应桥臂上的两组功率开关管由栅极驱动线路以脉冲形式激励而交替地通断，将直流电压转换成20kHz的中频交变电压，中频变压器同一时间将大概540V的电压降为24V左右的工作电压，随后经整流、滤波后，输出直流电压。在这一大功率电源的全桥线路中，我们假定变压器的工作电压为U，输...

了解详情了解详情

可控硅模块dVCOM/dt的承受能力取决于哪些因素？

2021-03-29

高dVCOM/dt承受能力受2个因素影响：dICOM/dt—转换时负载电流量下降率。dICOM/dt高，则dVCOM/dt承受能力降低。结面温度Tj越高，dVCOM/dt承受能力越降低。倘若双向可控硅的dVCOM/dt的规定值有可能被超出，为防止出现假触发，可在T1和T2间安装RC缓冲线路，借此限定电压上升率。通常使用47~100Ω的能承担浪涌电流的碳膜电阻，0.01μF~0.47μF的电容，可控硅关断环节中主电流量过零反向后快速由反向峰值恢复至零电流量，此环节可在元件两边形成达正常工作峰值电压5-6倍的尖峰电压。通常推荐在尽可能接近元件本身的地方连上阻容吸收电路。断开模式下电压变化...

了解详情了解详情