新闻列表 - 传承电子科技(江苏)有限公司 - IGBT模块_可控硅模块

igbt模块串连均压办法

2022-02-17

对于igbt模块串连运用中断开过程均压问题，对igbt模块的断开过程进行了深度解析，分析出干扰igbt模块断开过程的核心等效线路和公式计算。在这个基础上提了1个基于门极补偿阻容网络的igbt模块串连均压办法，推导出增加门极阻容补偿网络后串连igbt模块动态电压不均衡度和断开时间干扰的公式计算，并提了门极阻容网络参数的选取原则。建立基于LumpedCharge办法的igbt模块半物理数值模型，对igbt模块门极阻容补偿网络进行仿真验证。给出了实际测试工况下的补偿网络参数，建立igbt模块串连均压实验系统，进行多种电压、电流工况下的实验验证。仿真和实验表明：该办法可以有效控制串连igbt模...

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MAX611双向可控硅模块驱动电路

2022-02-16

图4-90为双向可控硅模块驱动线路，MAX611的VOUT(6)端输出+5V为控制触发线路供电，V+(8)端输出由内部整流非稳定的+12V电压，它供应电平转变的MC14504集电极开路的缓冲门的运行电压，生成12V的触发信号控制双向可控硅模块VS的通/断、MAX611可供应的最大总负载电流约100mA。以上就是传承电子介绍的MAX611双向可控硅驱动电路，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。...

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igbt功率模块基本参数

2022-02-15

1)导通igbt模块硅片的构造与功率MOSFET的构造非常相近，主要差别是JGBT增添了P+基片和1个N+缓冲层(NPT-非穿通-igbt模块工艺没增添这一部分)，当中1个MOSFET驱动2个双极元器件（有两个极性的元器件）。基片的使用在管体的P、和N+区间建立了1个J，结。当正栅偏压使栅极下边反演P基区时，1个N沟道便生成，并且出现1个电子流，并完全按照功率MOSFET的方法产生一股电流。倘若这一电子流产生的电压在0.7V范围内，则J1将处在正方向偏压，一些空穴注入N-区内，并调整N-与N+间的电阻率，这些方法降低了功率导通的总耗损，并开启了第2个电荷流。最后的结果是在半导体层次内临时出现两种...

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可控硅FCOG6100型触发板电路框图

2022-02-14

随着我国大容量电源、电子产品的迅速发展，显得对具备通用性、多功能的用作可控硅模块器件相位控制触发线路的开发及应用十分需要。图193FCOG6100型可控硅模块触发板线路框图FCOG6100基本原理是以40脚CMOS大规模集成线路（ENERPRO专用芯片）为主导，借助锁相环工艺（PLL）和多芯片合成工艺（MCM）,按照压控振荡器（VCO）锁定的三相同步信号间的逻辑关系设计出的1种可控硅模块触发系统。0~5V的直流输入电压信号，可以控制输出脉冲移相区域从5°~175°可调。任何的调节器或手动输出的电压都能够很便捷地和它相接（包含计算机输出的D/A信号），以控制大功率可控硅模块的操纵。在调节器或计算机PID调节器...

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igbt模块原理讲述

2022-02-11

简单而言，igbt模块等同于1个由MOSFET驱动的厚基区PNP型晶体管，它的简易化等效线路如下图(b)所显示，图上的RN为PNP晶体管基区内的调制电阻。从该等效线路可以清晰地看出，igbt模块是用晶体管和MOSFET构成的达林顿构造的复合元器件。为为图上的晶体管为PNP型晶体管，MOSFET为N沟道场效应晶体管，所以这些构造的igbt模块称作N沟道IIGBT，其符号为N-igbt模块。类似地还有P沟道igbt模块，即P-igbt模块。图（b） igbt模块是—种场控元器件，它的开通和断开由栅极和发射极间电压UGE确定，当栅射电压UCE为正且超过开启电压UCE（th）时，MOSFET内生...

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