新闻列表 - 传承电子科技(江苏)有限公司 - IGBT模块_可控硅模块

可控硅两边并接阻容网络的功能

2022-03-03

我们知道，可控硅模块有个重要性能参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表示模块在额定结温和门极开路情形下，使其从断态转为通态的最低电压上升率。若电压上升率过大，超出了它的电压上升率的值，则会在无门极信号的情形下开启。即便这时加于可控硅模块的正方向电压小于其阳极峰值电压，也可以产生这一情形。因为可控硅模块能够看成是由3个PN结构成。在可控硅模块线路中，在其两边并接RC串连网络，该网络常称作RC阻容吸收线路。在可控硅模块处在阻断情况下，因各层相距非常近，其J2结结面等同于一个电容C0。当可控硅模块阳极电压变动时，便会出现充电电流流到电容C0，并借助J3结，这一电流起了门极触发电流功效。假如可控硅模块...

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igbt模块元件保护的几个方式和优缺点

2022-03-02

在传动装置系统中，进、出线主回路通常都设有霍尔ct，用在检测主回路电流，并利用主控板的硬件和软件来处置、辨别过流情况。倘若出现重故障跳闸信息，便要迅速封锁脉冲，保护igbt模块元器件。其优势是对负载导致的过流保护作用比较明显，但缺陷是过流检出到脉冲封锁的过程时间太长，要几个毫秒，并且直流回路的短路也保护不了（实际系统中没有直流回路电流检测ct）。所以，仅靠该保护方式显然没法满足igbt模块保护的实际要求。因此，还需要采用其它的快速检测办法。现阶段较常用的办法有下列几类：1、IGBTvce电压监测法这是比较常见的办法。借助集电极电流ic上升时vge或vce也会上升的1种现象，当vge或vce超出设置允许值时...

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什么是可控硅模块以及分类？

2022-03-01

可控硅模块是晶体闸流管(Thyristor)的简称，谷称可控硅模块，它是1种大功率开关型半导体元器件，在线路中用字母符号为“V”、“VT”表达（旧标准中用字母“SCR”表达）。可控硅模块具备硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下运行，且其运行过程可以控制、被普遍使用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子线路中。可控硅模块有很多种分类方法。（一）按关断、导通及控制方式分类可控硅模块按其关断、导通及控制方式可分成普通可控硅模块、双向可控硅、逆导可控硅模块、门极关断可控硅模块（GTO）、BTG可控硅模块、温控可控硅模块和光控可控硅模块等很多种。（二）按引脚和极性...

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双向可控硅模块的检测

2022-02-28

判定T2控制极G与T1极间的距离较近，其正反向电阻值均较小。将数字万用表放置于R×1Ω档，用红、黑两电笔各自测任意两引脚间正反向电阻值，结果当中两组读值为无穷大，唯有1组的读值为数十赘，则此组红、黑表所接的两引脚为主端子T1和控制极G，另一空脚即为主端子T2。判定T1、G触发功能的检测将黑电笔接已判定的第2阳极T2，红电笔接第1阳极T1，这时数字万用表指针不应该出现偏转，电阻值为无穷大。再用短接线将T2、G极瞬间短接，给G极添加正向触发电压，T1、T2间电阻值约10Ω左右。之后判定T2极后，再仔细测量T1、G极间正、反方向电阻值，读值对比较小的那一次测量的黑电笔所接的引脚为第...

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脉冲变压器怎样组成igbt功率模块驱动？

2022-02-25

下图是由脉冲变压器TB组成的igbt模块栅极驱动线路。在线路的隔离元器件中，脉冲变压器与光电耦合器各有特色。脉冲变压器可以传输功率比较大的能量，由它用作隔离元器件时，其副边绕组可直接对igbt模块的栅极进行驱动。但脉冲变压器对信息的传输是双向的，igbt模块上的干扰信号可对前级造成影响。光电藕合器对信息的传输是单向的，应用光藕有助于隔离后级对前级的影响。但应用光电耦合器实现隔离时，要为igbt模块的栅极驱动线路供应独立的供电电源。如图所示线路中，当输入信息Ui为高电平时，驱动三极管T1导通，其脉冲电流经脉冲变压器TB为igbt模块的栅极供应正方向驱动电流，使igbt模块导通；当输入信息认为低电平时，驱动二极管T2导...

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