新闻列表 - 传承电子科技(江苏)有限公司 - IGBT模块_可控硅模块

可控硅的工作原理是什么？

2022-02-24

在中频炉中，整流侧断开时间选用KP-60微秒之内，逆变侧关短时间选用KK-30微秒之内这也是KP管与KK管的主要差异。可控硅模块T在运行环节中，它的阳极A和阴极K与电源和负载相连，组成可控硅模块的主线路，可控硅模块的门极G和阴极K与控制可控硅模块的装置相连，组成可控硅模块的控制线路。从可控硅模块的内部解析运行环节：可控硅模块是四层三端元器件，它有J1、J2、J33个PN结图1，可以把它中间的NP分为两部分，组成1个PNP型三极管和1个NPN型三极管的复合管图2当可控硅模块承担正方向阳极电压时，为使可控硅模块导铜，务必使承担反方向电压的PN结J2失去阻挡功能。图2中每一个晶体管的集电极电...

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igbt模块并联均流影响因素

2022-02-23

影响动态均流的原因1、IGBT模块的开通门槛电压VGEth的差别，VGEth越高，igbt模块开通时刻越晚，不同模块是会有差别；2、每一个并接的IGBT模块的直流母线杂散电感L的差别；3、门极电压Vge的差别；4、门极回路中的杂散电感量的差别；5、IGBT模块所在温度的差别；6、IGBT模块所在的磁场的差别。 igbt模块芯片温度对均流的干扰igbt模块芯片的温度对动态均流性能和静态均流性能干扰非常大：1、因为igbt模块的Vcesat的正温度系数特点，使温度高的芯片的Vcesat更高，会分到较少的电流，所以建立了1个负反馈，使静态均流趋向收敛；...

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可控硅模块的运行条件是什么?

2022-02-22

可控硅模块的运行条件：1.可控硅模块承担反方向阳极电压时，无论门极承担和种电压，可控硅模块都处在关短模式。2.可控硅模块承担正方向阳极电压时，仅在门极承担正方向电压的情况下可控硅模块才导通。3.可控硅模块在导通情况下，只需有一定的正方向阳极电压，无论门极电压怎样，可控硅模块维持导通，即可控硅模块导通后，门极失去功能。4.可控硅模块在导通情况下，当主回路电压（或电流）减少到将近于零时，可控硅模块断开。当可控硅模块承担正方向阳极电压，而门极未受电压的情况下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)非常小，故可控硅模块的阳极电流Ia≈Ic0晶闸关处在正方向阻断模式。当可控硅模块在正方向...

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igbt功率模块干扰静态均流的原因

2022-02-21

igbt模块是三端元器件，芯片内部构造包括有栅极、集电极和发射极，等效线路如下图2-1所显示，在igbt模块的栅极G和发射极E间加+15V标准电压，则igbt模块导通，倘若集电极有上拉电阻，集电极和发射极电压可能会变成0.2V，即集电极与发射极间因为门极加进正电压而成低阻模式促使igbt模块饱和导通;若在igbt模块的栅极G和发射极E间加进-15V则igbt模块反方向断开，加进负压而不是OV的目标是使igbt模块可快速而稳定的关断，对igbt模块实际运用有重要的含义。随着igbt模块在电气行业的普遍使用，并接的方式使产品具备更高的功率密度、匀称的基板热分布、灵活的布局及较高的性价比等优点。但在，静态和动态均流问题...

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双臂可控硅大功率逆变器电路图

2022-02-18

此例为单相逆变器，选用一个双臂负极并接可控硅，功率大，负载能力强，如下图186所显示。当VTH1被触发导通时，C上的电压经VTH2加至VTH1两边，使其受反方向电压而断开。因为VTH2导通，变压器T的绕组FO中有电流经过，变压器2次侧感应出下正上负的电压。VTH1、VTH2逐个轮换导通，变压器2次侧就感应出交流电压。更改双臂负极并接可控硅的触发信号的频率，也就更改了逆变器输出的交流电压的频率。以上就是传承电子介绍的双臂可控硅大功率逆变器电路图，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体制造商，为众多的企业公司提供功率半导体的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主...

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