新闻列表 - 传承电子科技(江苏)有限公司 - IGBT模块_可控硅模块

新的igbt功率模块内部封装工艺

2022-01-19

传承电子发布新的igbt模块内部封装工艺。该工艺可大幅度延长IGBT模块的使用期限。全新的.XT工艺可改进IGBT模块内部全部相连的使用期限。借助这些全新的封装工艺，传承电子可达到具有更高功率循环的新兴使用的要求，并为提升功率密度和实现更高工作结温铺平道路。全新.XT工艺对于目前工艺，能够让IGBT模块的使用期限延长10倍，或使输出功率提升25％。这类新技术可支撑高至200°C的结温。功率循环会造成温度转变，并造成IGBT模块内部相连部位生成机械应力。芯片各层的热膨胀系数不一样，会造成热应力，造成材料疲劳和毁坏。全新.XT工艺涵盖IGBT模块内部相关功率循环功能的全部关键点：芯片正面的键合线、芯片背部的...

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可控硅的过压保护

2022-01-18

可控硅元器件的电压和电流过载能力极差，尤其是耐压能力，瞬时的过压便会导致元器件永久性的毁坏。为了能使元器件能长期可靠地运行，必须针对过压和过电流发生的因素实行保护措施。过压保护可控硅作业过程中将会承担的过压主要有下列几类：1种是因为设备拉、合闸、负载打火等引发的过压；1种是因为元器件关断时产生的关断电压；再有因雷击等因素从电网侵入的浪涌电压。为限制过电压的幅值低过元器件的正反向峰值电压，可实行下列保护措施(见图二)。 (1)在变压器1次侧连上避雷器，在2次侧加装阻容保护、硒堆、压敏电阻等非线性电阻元器件进行保护。在整流直流侧实行压敏电阻和泄能保护设备，以避免元器件承担过电压。 ...

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igbt模块组成的驱动线路

2022-01-17

使用成品驱动模块线路来驱动IGBT，可以大幅提高设备的可靠性，现阶段市面上可以购买到的驱动模块主要有：富士的EXB840、841，三菱的M57962L，落木源的KA101、KA102，传承的HCPL316J、3120等。这类模块均具备过流软断开、高速光耦隔离、欠压锁定、故障信号输出作用。因为这类模块具备保护功能完善、免调试、可靠性高的特性，所以使用这类模块驱动IGBT可以缩减产品开发周期，提升产品可靠性。HCPL316J的典型线路如下图4所显示。图4由驱动模块组成的驱动线路HCPL316J可以驱动150A/1200V的igbt模块，光耦隔离，COMS/TTL电平兼容，过流软断开，最大开关速度500n...

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可控硅模块(晶闸管）参数说明

2022-01-14

1.参数表中所列出的数据信息，ITSM、I2t、dv/dt、di/dt指的是元器件能够满足的最小值,Qr、VTM、VTO、rT指元器件可满足(不超过)的最大值。2.通态平均电流额定值ITAV(IFAV)ITAV(IFAV)指在双面冷却情况下，确保散热器温度55℃时，准许元器件经过的最大正弦半波电流平均值。ITAV(IFAV)相应元器件额定有效值IRMS=1.57ITAV。实际运行中，若无法确保散热器温度小于55℃或散热器与元器件接触热阻远高于规定值，则元器件应降额运行。3.可控硅模块通态电流上升率di/dt参数表中所给的为元器件通态电流上升率的临界重复值。其相应不重复测试值为重复值的2倍以上，在...

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igbt功率模块典型的门极驱动线路讲解

2022-01-13

1、脉冲变压器驱动线路脉冲变压器驱动线路如下图2所显示，V1～V4组成脉冲变压器一次侧驱动线路，利用控制V1、V4和V2、V3的轮番导通，将驱动脉冲加至变压器的一次侧，二次侧利用电阻R1与IGBT5栅极连接，R1、R2避免 IGBT5栅极开路并供应充放电回路，R1上并接的二极管为加速二极管，用来提升IGBT5的开关速度，稳压二极管VS1、VS2的功能是限制添加在IGBT5g-e端的电压，防止过高的栅射电压击穿栅极。栅射电压通常不得超过20V。图2脉冲变压器驱动线路2、光耦隔离驱动线路光耦隔离驱动线路如下图3所显示。因为igbt模块是高速元器件，所选择的光耦必须是小延时的高速型光耦，由PWM控...

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