新闻列表 - 传承电子科技(江苏)有限公司 - IGBT模块_可控硅模块

为何要对可控硅的保护措施

2022-01-12

可控硅元器件的常见弱点是承担过电流和国电压的能力很差，即使短时间的过流和过电压，也将会造成可控硅的毁坏，因此一定要对它采用恰当的保护措施。 1.过电流保护可控硅出现过电流的常见因素是过载、短路和误触发。过电流保护有下列几个：快速容断器快速容断器中的溶丝是银质的，只需选择恰当，在相同的过电流倍数下，它可以在可控硅毁坏前先溶断，进而保护了可控硅。过电流继电器当电流超出过电流继电器的整定值时，过电流继电器便会运作，断开保护线路。但因为继电器运作到断开线路需要一定时间，因此只能够用于可控硅的过载保护。过载截止保护依靠过电流的信号将可控硅的触发信号后移，或使可控硅得导通角减少，或干脆停止触发保护...

了解详情了解详情

浅谈igbt模块驱动

2022-01-11

1、对驱动功率的要求因为igbt模块的开关过程须要损耗相应的电源功率，最小峰值电流可由下式算出：IGP=△Uge/（RG+Rg）；式中△Uge=+Uge+|Uge|；RG是igbt模块内部电阻；Rg是栅极电阻。驱动电源的平均功率为：PAV=Cge△Uge2f,式中．f为开关频率；Cge为栅极电容。2、栅极电阻为更改控制脉冲的前后沿陡度和避免震荡，减少igbt模块集电极的电压尖峰，应在igbt模块栅极串上适合的电阻Rg。当Rg增大时，igbt模块导通时间延长，耗损发热加剧；Rg减少时，di/dt增高，有可能造成误导通，使igbt模块毁坏。应按照i...

了解详情了解详情

可控硅模块投切电容器的原理（三）

2022-01-10

可控硅模块投切电容器（TSC）主电路布线方式按照可控硅模块阀和电容器的连接可划分为三相控制的三角形接法、星形接法和其他组合接线方法。当中三角形与星形的组合接线方法既综合了前两种接线方法的优点，也可提高补偿设备的运行质量，所以较为常用. 按照电容器电压无法突变的特性，可控硅模块投切电容器（TSC）系统投切当电网电压和电容器残压差别过大的时，则非常容易造成冲击电流。当冲击电流与正常的稳定电流之比低于1.7倍时，可以认为冲击电流对可控硅模块和电容器的使用无影响。投切终止后，电容器上有电网峰值电压，可控硅模块在电网电压和电容器直流电压的双重影响下，存有过零电压，过零点触发可控硅模块是理想状态，不能造成冲击电流。可控硅...

了解详情了解详情

igbt功率模块门极驱动需求

2022-01-07

绝缘栅双极晶体管igbt模块是第3代功率器件，安全工作，它集功率晶体管GTR和功率场效应管MOSFET的特点于一体，具备易于驱动、峰值电流容量大、自关闭、开关频率高(10-40kHz)的特点，是现在发展极为快速的新一代的电力电子器件。普遍使用于小体积、高效率的变频电源、电机调速、UPS及逆变焊机之中。igbt模块的驱动和保护是其用到中的核心技术。在此按照长时间用到igbt模块的经验并参阅相关文献对igbt模块的门极驱动问题做些归纳，希望对广大igbt模块用到人员有相应的帮助。 igbt模块门极驱动需求1、栅极驱动电压因igbt模块栅极-发射极阻抗大，故可用到MOSFET驱动工艺来驱动，但igbt模块...

了解详情了解详情

半导体开关元器件可控硅的特性及使用解析

2022-01-06

可控硅（SCR）是1种半导体开关元器件。早就在1956年，Moll等人就公布了这类开关元器件的理论基础。即便低功率器件在当今开关区域已基本上销声匿迹，并被高压双极结型晶体管（BJT）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）及绝缘栅双极型晶体管（igbt模块）等所替代，但它们在兆瓦级开关元器件区域仍无可取代，例如2kA、1.2kV的SCR就被使用于机车驱动器中，或用作控制铝材生产厂家中的电炉等。SCR是1种具备如下图1a所显示的晶体管等效线路的四层半导体元器件。图1：1个基本上的SCR类构造（a），得到一定值的门极电流和维系电流（b），和大幅度改善的耐瞬变电压性能，进而有效的避免阳极电压陡增引发的意外...

了解详情了解详情