可控硅的反方向特性伏安特性
可控硅的反方向特性伏安特性
2021-11-16
可控硅的伏安特性可控硅阳极A与阴极K间的电压与可控硅阳极电流间关系称作可控硅伏安特性,如下图2所所显示。正方向特性处在第一象限,反方向特性处在第三象限。 图2可控硅伏安特性参数示意图(1)反方向特性当门极G开路,阳极添加反方向电压时(见图3),J2结正偏,但J1、J2结反偏。此时仅能经过非常小的反方向饱和电流,当电压进一步提升到J1结的雪崩击穿电压后,并且J3结也击穿,电流快速增多,如下图2的特性曲线OR段逐渐弯曲,弯曲处的电压URO称之为“反方向转折电压”。之后,可控硅会出現永久性反方向击穿。 图3阳极加反方向电压 图4阳极加正方向电压以上就是...
了解详情IGBT智能化驱动板SCALE的主要工作模式
IGBT智能化驱动板SCALE的主要工作模式
2021-11-15
1、直接模式在直接模式下,各线路igbt模块将自主地运行。该模式可用作已形成死区时间的PWM信号的驱动,也可用作自主运行的各线路igbt模块。将MOD输人与V相连接,RC1和RC2接地,便是直接模式。在直接模式下,状态輸出SO1和SO2各自返回,所以当发生故障时,能够便捷地决定故障发生在哪一路。2、半桥模式根据与RC1和RC2相连接的RC网络可取得数百纳秒的死区时间。当输人端B为低电平时,两条线路igbt模块都被断开。将MOD输人接地便是半桥模式,输人IA为PWM输人,TB为使能输人。在VL/R输人端接上4.7V齐纳二极管可使输人端IA和TB设定在T...
了解详情可控硅模块的运行要求
可控硅模块的运行要求
2021-11-12
因为可控硅模块仅有导通和断开两种工作状态,所以它具有开关特性,这种特性需要一定的要求才能转化,此要求见表1。 表1可控硅模块导通和断开要求(1)可控硅模块承担反方向阳极电压时,不管门极承担怎样电压,可控硅模块都处在断开模式。(2)可控硅模块承担正方向阳极电压时,仅在门极承担正方向电压的情况下可控硅模块才导通。(3)可控硅模块在导通情况下,只需要有一定的正方向阳极电压,不管门极电压怎样,可控硅模块维持导通,即可控硅模块导通后,门极丧失功能。(4)可控硅模块在导通情况下,当主电路电压(或电流)减少到近乎于零时,可控硅模块断开。以上就是传承电子介绍的可控硅模块的运行要求,传承电子是一...
了解详情IGBT功率模块智能化驱动板SCALE驱动块的保护作用
IGBT功率模块智能化驱动板SCALE驱动块的保护作用
2021-11-11
SCALE的保护首要包括短路和过流以及电源检测。对于短路和过流保护来说,SCALE驱动中的每路都有1个Vce检测电路。Rth为关断阈值的参考电阻。在igbt模块启动后的一段响应时间内,Vce监测线路失效。而当Vce发生故障后,锁住时间作用开始启动,并在锁住时间内使驱动器锁住igbt模块,而不会接受输人信号。模块中的各线路都有着自身的锁住作用,并均由各线路的LGD001实现。一经Vce超出由Rth设定的阈值,锁住将立刻启动。SCALE中的每路都有着1个欠压监测线路。当电源电压降到10V或11V时,igbt模块将执行负压断开并开始故障报警。以上就是传承电子对IGBT功率模块智能化驱动板SCA...
了解详情鉴于可控硅功率单元的散热设计
鉴于可控硅功率单元的散热设计
2021-11-10
散热器热阻Rth(c-A)散热器热阻可分成稳态热阻和瞬态热阻两种。1、热阻Rth的概念:热阻是热导的倒数,厂家是:℃/W(℃/瓦)具备温差的导热体两边存有热量由温高一边传至温低一边的情况。如温高一边发热功率为P,两者之间合乎以下关系: P是A端稳定形成的热功率。Rth小时TA-TB也小,即温差也小,反过来温差也大。由此可见热阻小的导热体很快就可以把热端热量传导出来。散热器稳态热阻可以用经验公式计算估值:自冷情况下: 风冷情况下: 当中:l为散热器肋长;b为肋厚;L为散热器长;n为肋数;A为表面积;uS为风速;常用厂家:l:米、A:米2、b:米、L...
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