新闻列表 - 传承电子科技(江苏)有限公司 - IGBT模块_可控硅模块

IGBT7功率模块与IGBT4两种典型运行环境对照方案

2021-11-23

IGBT7做为全新一代igbt模块工艺平台，它与IGBT4的性能对照始终是技术人员在意的问题。文中利用FP35R12W2T4与FP35R12W2T7在同一个平台伺服驱动中的检测，获得了同样运行环境下IGBT4与IGBT7的结温对照。试验结果显示，在持续大功率负载运行环境与惯量盘负载运行环境的对照检测中，IGBT7的结温均小于IGBT4。伺服驱动系统响应速率快，过载倍数高，小型化和高功率密度的趋势更加是对功率器件确立了更严苛的需求。IGBT7借助于超低导通压降、dv/dt可控、175℃过载结温、很好契合伺服驱动器的全部要求需求。依托于IGBT7的伺服驱动完整解决方法，可有效提升功率密度。驱动芯片选用无...

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场效应管和可控硅模块不同之处

2021-11-22

第1点是场效应管与可控硅模块的输入阻抗不一样场效应管的直流等效输入阻抗十分高，其阻值能够到达10九次方欧姆，对MOSFET管而言最大能够到达10十五次方欧姆，基于如此的特性来说由场效应管构成的线路功耗都较小、它的稳定性和抗干扰能力都很强，所以目前很多集成芯片中都使用的是场效应管构成的集成线路，有的工作电压能够低到2V之下。而对与可控硅模块构成的线路而言在輸入直流等效阻抗层面它较低、如此就影响了它的功耗十分大，抗干扰能力远不及场效应管，这也就表明了可控硅模块构成的线路它的稳定性也不及场效应管。第2点是场效应管与可控硅模块的功能不一样我们从两者的构成构造能够发现，对场效应管而言它能够放大信号，所...

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IGBT智能化驱动板SCALE輸出部分引脚作用

2021-11-19

Ｇ端（栅极）:与igbt模块栅极相接，并用15Ｖ驱动。Ｅ端（发射极）:与igbt模块发射极直接相接，且连线应最大限度地短。Ｃ端（集电极）:用于检测启动时igbt模块的电压降，所以?需要直接与igbt模块集电极相接。针对1200V和1300V模块，使用２个或３个１Ｎ４００７二极管来实现140％的耐压需求。采用普通高压二极管便可，通常不需要高压快恢复二极管。Rth端（参照电阻值）：利用连在Rth端的参照电阻值可明确igbt模块的保护断开阈值。Ｅ端的参照电位、参照电阻值需要最大限度地接近IGBT模块。当Ｃ端的工作电压高于Rth端的工作电压时，将启动igbt模块保护作用。这时电流源将给予15０...

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可控硅模块组成的调光灯线路图

2021-11-18

由一只可控硅模块组成的调光灯线路如下图所示。市电220V电压经二极管VD－VD4整流后，加到可控硅模块VTH1的A、G两边的电压是一个正弦脉动电压。该电压先由限流电阻R1降压，之后提供给触发线路做为直流电源和同步电压。由可控硅模块VT1等组成的弛张振动器，在每半个周期内，当电容C1上的充电电压到达可控硅模块的峰点时，则由断开变为导通模式，之后使电容C进行放电。这么在电阻R2上輸出1个脉冲，加至可控硅模块VTH1操控极，触发VTH1导通，所以便会有电流经过灯泡EL和可控硅模块，电流的巨细由灯泡EL挑选。当可控硅模块导通往后，VTH1的A、G间的正方向压降较小（约为1V），因此，触发线路接连作业。电源电...

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IGBT功率模块智能化驱动板SCALE引脚作用

2021-11-17

现以SCALE中的2SD315A为例，列出该模块的引脚作用，图４列出了2SD315A的引脚布局图。输人部分引脚作用GND：电源地；VDC：电源＋15Ｖ，供DC/DC电源用；VDD：电源＋15Ｖ，供LDI001用；VL/R：用于设定输人端INA和INB的施密特触发器的开关阈值。当输人信号为加到VL/R端电压的2/3时，启动；为１／３时断开；MOD：模式选择；INA：信号输人端Ａ；INB：信号输人端Ｂ；SO1：状态輸出１；SO2：状态輸出２；RC１：形成＃１路死区时间的RC网络；RC２：形成＃２路死区时间的RC网络；RC端：...

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