可控硅金属箔式应变片四臂电桥(全桥)实验
可控硅金属箔式应变片四臂电桥(全桥)实验
2021-09-29
认识金属箔式应变片全臂电桥的基本原理和工作情况,与试验一、二实现线性度灵敏度较。实验原理:应变片是粘贴式电阻应变计的缩写,还有称之为电阻应变片或电阻片。通常应变片由电敏感元件,基底和引线构成。在测定应变时,应变片用粘合剂粘贴在试件上,当试件受载荷后其表层形成细微形变,这时贴在其上的应变片的线栅亦随其发生形变。由于金属线材的应变效应,线栅的电阻产生变化,电阻变化率△R/R的多少与应变片粘贴处试件的应变ε(L/L)的多少成比例,(注:R是应变片的原始电阻,△R是应变片的电阻变值,L是线栅的纵向长度,△L是线栅的纵向形变。)假如用电测仪器测得电阻的变动,依据某一例常数,可获取试件的应变值。所需单元和部件:直流稳压电...
了解详情数字化igbt过压保护线路
数字化igbt过压保护线路
2021-09-28
过压保护线路使用的是TVS管与限流电阻串连的方式,由集电极连接栅极(如下图6示),当断开环节中集电极发生超出设定值(设定值少于igbt模块额定值)的电压尖峰时,TVS管反向导通,使用限流电阻向栅极注入电流,减慢igbt模块断开速度(减小di/dt),进而实现限制电压尖峰的目地。客户按照实际的使用工况,选用适宜的TVS管的数量和单个TVS击穿电压参数。 di/dt监测:(如图示7),IGBT模块内部等效电路图能够看出 ,因为IGBT模块内部链接的主电极电路与辅助电极电路间存有寄生电感,在IGBT模块运行时,主电流IC从主电极流入,通过寄生电感L流出,按照电感感生电压V=-L*di/dt,从计算公式能够看得出,感生电压V...
了解详情可控硅模块滞后桥臂并接谐振网络线路的优势
可控硅模块滞后桥臂并接谐振网络线路的优势
2021-09-27
1)滞后桥臂可以顺利地完成零电压导通断开;2)开关的导通耗损较低;3)占空比丢损较小。本线路中,谐振电感的设计比较重要,倘若谐振电感选择得过大,就容易造成不必要的导通耗损,倘若过小,又不能够使滞后桥臂完成零电压断开。谐振开关的导通时间也需要正确选择,方能在完成滞后桥臂的零电压断开的情况下又不造成过多耗损。上面线路的主要缺陷是在负载较小的时候,完成超前桥臂的零电压断开较困难;线路中提升了2个谐振开关,使线路成本提升;控制线路比较复杂;谐振线路的开关是硬开关断开,将要形成额外耗损;2个谐振线路都是与同一桥臂2个开关管并接,导致线路阻尼震荡加剧。以上就是传承电子对可控硅模块滞后桥臂并接谐振网...
了解详情数字化igbt功率模块监测保护线路
数字化igbt功率模块监测保护线路
2021-09-26
为避免igbt模块元器件运行中发生任何异常故障,驱动器需用对igbt模块的状态参数进行监测,倘若发现异常,驱动器自行采用保护运作,并通知主控器。欠压检测:现阶段各种IGBT厂家推荐igbt模块元器件工作时的栅极电压为±15V(栅极最高承载电压为±20V),倘若igbt模块元器件在运行中发生少于15V的状况,按照igbt模块元器件饱和压降VCE与栅极电压的关系(如下图5示),由于栅极电压的下降,igbt模块饱和压降会增多,引起igbt模块元器件耗损增多,有可能会毁坏元器件。因此,务必对驱动器輸出栅极的电压进行监测,倘若发生欠压开通状况,驱动器要立即进行保护。同时要留意,igbt模块的短路电流与栅极电压成正比,因此当元器...
了解详情可控硅滞后桥臂并接谐振网络的零电压开关移相全桥变换器
可控硅滞后桥臂并接谐振网络的零电压开关移相全桥变换器
2021-09-24
为了能克服滞后桥臂完成零电压开关难的情况,与此同时又无法造成占空比的遗失和导通耗损的提升,文献提到了1种在滞后桥臂并接1个谐振电感和2个谐振开关的拓扑结构,如下图2所显示。开关的控制方法如下图3所显示。本拓扑在半个周期内有6个运行模态。 图2 滞后桥臂并接谐振网络的ZVS移相全桥变换器 图3 滞后桥臂并接谐振网络变换器的控制方法模态1 S1及S2与此同时导通,滤波电感电流线性提升。模态2 S1断开,原边电流提取S3并接电容C3上的电荷量,与此同时对S1并接电容充电,在充放电结束,D3导通。因为輸出线路电感较大,所以,流经滤波电感上的电流可看做为1个恒流源。模态3 在D3导通后,...
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