新闻列表 - 传承电子科技(江苏)有限公司 - IGBT模块_可控硅模块

变流器的核心元器件igbt功率模块

2021-10-13

某些用igbt模块作为主功率器件的变流器，igbt模块的輸出直接与外部负载连接，比如驱动电机调速的变频器，司服系统等。一旦负载短路，便会导致igbt模块极其严重的过流，这时igbt模块会有多大的电流呢？大概是igbt模块额定电流的几倍到十几倍，过流的严重程度与igbt模块的栅驱动电压有关，即，当igbt模块的驱动电压在14V之下时，其短路电流就较小，约是其额定电流的几倍；当igbt模块的驱动电压在16V之上时，其短路电流就极大，约是其额定电流的十几倍，很明显，这么大的短路电流，对igbt模块极具破坏性。即便，igbt模块称为有10微秒的抗短路水平，十几倍的额定电流也是难以承担的，我的经验是，最多只有承担1次，第2次就玩完。所...

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上桥臂电流检测中的专用放大器对可控硅误差分析

2021-10-12

电阻不匹配对测量精度的影响假定使用电阻完美匹配，借助方程式1可以算出输出电压。不幸地是，真实情况并不是这样，这是因为电阻本身也是有自己的精密度。用下方的公式可以算出因电阻不匹配而导致的增益误差：V0=（（Isense*Rshunt）/R1）。（R4/R3）。（R1+R2+R3）。［1+（（2R1+4R2+2R3）/（R1+R2+R3））。εα+εRshunt］。..。..（3）?当中εα是电阻的准确度，εRshunt是分流器的准确度。从方程式3可以看出，R2电阻对误差的影响最大，因此该电阻器务必选用阻值尽量小（10kΩ）的电阻。特别注意，R1和R3的阻值之和应当高且均衡，唯有如此方能获得理想...

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变流器的核心元器件MOSFET和igbt

2021-10-09

MOSFET和igbt模块是现阶段变流器中使用最普遍，最重要的两类核心元器件。MOSFET主要是使用在低压和中压（中小功率），igbt模块主要是使用在高压和中压（大功率）领域。对于MOSFET已有很多方面的精辟的论述，在这里不再重复，只对个别问题作点补充说明。igbt模块的探讨还较少，所以，是本篇文章的主要是探讨对象。首先来说MOSFET提1个基础性问题：驱动MOSFET导通的最合适栅电压多少伏？很多人的回答是：15V。这一答案无法说错，但，这活干得太粗。MOSFET的导通电阻是随栅电压的提升而下滑，当栅电压到达一定值时，导通电阻就几乎不会再降低了，暂且称作“多方面导通”，通常认为这一电压是小...

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可控硅模块四臂电桥（全桥）的静态位移性能

2021-10-08

实验内容：可控硅金属箔式应变片四臂电桥（全桥）的静态位移性能1、依据图１的线路构造，将四片应变片与电桥平衡网络、差动放大器、电压表、直流稳压电源连接起来，构成1个测定线路（这时直流稳压电源应放置0伏档、电压表应放置20伏档）。这时四片应变片构成全桥。图１2、旋转测微器，将平行梁上中心的磁铁与测微头相吸（必要时松掉测微器的固定螺钉，使之完全可靠吸附后，再扭紧固定螺钉），并使平行梁处在（目测）水平地方，再往上位移5mm，使梁的自由端往上形成位移。3、将直流稳压电源輸出放置4伏档，调整电桥平衡电位器W1，使电压表提示为零，平稳数分钟后，将电压表量程放置2伏档后，再仔细调零。4、向下旋动测微...

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数字化igbt功率模块驱动级检测

2021-09-30

为初步确认驱动级基础功能的正确性和可行性，使用图8样品板进行检测，检测样品为3300V-1500AIGBT模块，使用通用型双脉冲测试方法，检测波型如下图9。驱动板能够在检测条件下安全的开通和断开igbt模块。改进方向数字型igbt模块驱动器在过压保护监测上使用的TVS管串连的方式，只能够对igbt模块元器件断开中di/dt形成的寄生过压有较好的效果，但这个方法也存有缺陷，倘若客户对过压保护的阈值设定不合理，及系统在运行中会发生较多的过压，或较长时间过压，这时igbt模块元器件会发生栅极被高压毁坏，或本应断开的igbt模块被动强行开通，发生上下管短路的情况，毁坏上下管igbt模块。因此能够加入Vce...

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