新闻列表 - 传承电子科技(江苏)有限公司 - IGBT模块_可控硅模块

从可控硅模块的内部解析运行过程

2021-10-20

可控硅模块是四层三端元器件，它有J1、J2、J33个PN结图1，能够把它中间的NP分为两部分，组成1个PNP型三极管和1个NPN型三极管的复合管图2。当可控硅模块承担正方向阳极电压时，为使可控硅模块导铜，务必使承担反方向电压的PN结J2丧失阻挡功能。图2中每一个晶体管的集电极电流同时便是另1个晶体管的基极电流。所以，2个互相复合的晶体管线路，当有一定的门机电流Ig注入时，便会出现强烈的正反馈，导致两晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。设PNP管和NPN管的集电极电流相对为Ic1和Ic2；发射极电流相对为Ia和Ik；电流放大系数相对为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，设流经J2结的反相漏电电流为Ic0,可控硅...

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IGBT功率模块器件的并接应用

2021-10-19

要达到功率器件的并接应用，应满足2个情况：1、并接应用功率器件的一致性好（要使用同一批次的）2、其导通电阻或饱和压降为正温度系数MOSFET的导通电阻值全是正温度系数的，极易完成并接使用igbt模块则不是，有的igbt模块饱和压降是负温度系数的，有的igbt模块饱和压降是正温度系数的。负温度系数饱和压降的igbt模块并接使用难以均流，因此，不适合并接使用。正温度系数饱和压降的igbt模块是能够并接使用的，并且可以实现不错的均流效果。比如，INFINEON的FF450R17ME3，如图所示是其饱和压降的温度特征，当集电极电流高于100A时，饱和压降有良好的正温度系数...

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可控硅的原理

2021-10-18

在中频炉中整流侧断开时选用KP-60微秒之内，逆变侧关短时间选用KK-30微秒之内这也是KP管与KK管的主要区别:可控硅模块T在运行过程中，它的阳极A和阴极K与电源和负载相连，组成可控硅模块的主线路，可控硅模块的门极G和阴极K与控制可控硅模块的设备相连，组成可控硅模块的控制线路。可控硅模块的运行条件：1.可控硅模块承担反方向阳极电压时，不管门极承担和种电压，可控硅模块都处于关短状态。2.可控硅模块承担正方向阳极电压时，仅在门极承担正方向电压的状况下可控硅模块才导通。3.可控硅模块在导通状况下，只需有一定的正方向阳极电压，无论门极电压怎样，可控硅模块维持导通，即可控硅模块导通后，门极丧...

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IGBT的使用期限

2021-10-15

1:功率循环使用期限：外壳温度变动极小但结温变动频繁时的工作模式下的使用期限2:热循环使用期限：系统从开启到终止期内温度相应缓慢变动的工作模式下的使用期限如下图所示是功率模块的典型构造当功率模块结温变动时,因为膨胀系数的差异，在铝线和硅片间、硅片和绝缘基片间将形成应力应变，倘若应力总是反复，结合部的热疲劳将造成产品失效。如下图在功率模块壳温变动相应缓慢而变化幅度大的工作模式下，因为绝缘基板和铜底板的膨胀系数差异，绝缘基板和铜底板中间的焊锡层将形成应力应变。倘若应力总是反复,焊锡层将形成裂纹。倘若裂纹扩张到硅片的下边，热阻增大将造成热失控；或热阻提升造成DTj提升造成功...

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双向可控硅模块的测试

2021-10-14

一只良好的可控硅模块，其阳极A与阴极K间应是高电阻值，所以，当数字万用表试A－K间的电阻时，亦无论电表怎样接都应是高电阻值。而G－K间的逆向电阻比顺向电阻越大，表明可控硅模块特性良好。双向晶闸管的测试。用数字万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两电笔各自测任意两管脚间正反向电阻，結果当中2组读值为无穷大。若1组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两管脚为第1阳极A1和控制极G，另一个空脚即是第2阳极A2。明确A1、G极后，再认真检测A1、G极间正、反方向电阻，读值相对较小的那次检测的黑电笔所接的管脚为第1阳极A1，红电笔所接引脚为控制极G。将黑电笔接已明确的第2阳极A2，红电笔接第1阳极A1，这时数字万用表指针不会出现偏移，电...

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