新闻列表 - 传承电子科技(江苏)有限公司 - IGBT模块_可控硅模块

可控硅模块主要特性参数

2021-08-31

1．正反向重复峰值电压——额定电压（VDRM、VRRM取其小的）2．额定通态平均电流IT（AV）——额定电流（正弦半波平均值）3．门极触发电流IGT，门极触发电压UGT，（受温度变化）4．通态平均电压UT（AV）即管压降5．维系电流IH与掣住电流IL6．开通与关断時间可控硅合格证书主要参数IT（AV）=A（TC=℃）------通态平均电流VTM=V-----------通态峰值电压VDRM=V-------------断态正方向重复峰值电压IDRM=mA-------------断态重复峰值电流VRRM=V-----------...

了解详情了解详情

igbt功率模块块运行中的动态性能

2021-08-31

igbt功率模块在启动整个过程中，大部分时间当做MOSFET来运转的，仅在漏源电压Uds下降整个过程中后期，PNP晶体三极管由变大区至饱和状态，又提高了一段时间延迟。td（on）为启动时间延迟，tri为电流增益值。主要使用中常会算出的漏极电流启动時间ton便是td（on）tri之和。漏源电压的下降时间由tfe1和tfe2组成。igbt模块的启动和断开要求给其栅极和基极中间再添加正向电压和反向电压，栅极电压可由不同的光耦线路引起。当选择这类光耦线路时，必须按照下列的主要参数来展开：元器件断开参考点的要求、栅极正电荷的要求、耐固性要求和开关电源的情况。因为igbt模块栅极-发射极特性阻抗大，故可使用MOSFET驱动器技术性展开启...

了解详情了解详情

可控硅导通条件

2021-08-30

可控硅添加正方向阳极电压后，门极添加恰当正方向门极电压，使可控硅导通环节称作触发。可控硅一经触发导通后，门极就对它丧失控制功能，普通在门极上只需添加1个正方向脉冲电压就可以，称作触发电压。门极在特定条件下能够触发可控硅导通，但不能使其断开。要使导通的可控硅恢复阻断，可降低阳极电压，或增加负载电阻，使流过可控硅的阳极电流降低至维系电流（IH）（当门极断开时，可控硅从较大的通态电流降至刚好能保持可控硅导通所需的最小阳极电流叫维系电流），电流会突然降到零，过后再提升电压或降低负载电阻，电流并不会再增加，表明可控硅已恢复阻断。根据可控硅阳极伏安特性，能够总结出：1．门极断开时，可控硅的正方向漏电流比普通硅二极管反方...

了解详情了解详情

igbt运行中的静态性能

2021-08-30

igbt的静态性能，静态数据性能重要有光电流性能、迁移性能和电源开关性能。（1）光电流性能：igbt的光电流性能是指以栅源电压Ugs为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关连曲线图。輸出漏极电流比受栅源电压Ugs的操纵，Ugs越高，Id越大。它与GTR的輸出性能相似。也可分为饱和状态区1、变大区2和穿透性能3一部分。在截止状况下的igbt，正向电压由J2结承担，反向电压由J1结承担。倘若无N缓冲区域，则正反面向阻隔电压可以维持相同水准，加上N缓冲区域后，反向断开电压仅有达到几十伏水准，所以限制了igbt的某些使用范畴。（2）迁移性能：igbt的迁移性能是指輸出漏极电流Id与栅源电压Ugs之间的关连曲线图。它与MOSFE...

了解详情了解详情

可控硅模块SiCMOSFET的桥臂串扰电压解析

2021-08-27

可控硅SiCMOSFET的桥臂串扰电压解析抑制办法：1）AMC;2）驱动电源稳负压；3）门极TVS、二极管钳位；以上就是传承电子对可控硅模块SiCMOSFET的桥臂串扰电压解析的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。...

了解详情了解详情