新闻列表 - 传承电子科技(江苏)有限公司 - IGBT模块_可控硅模块

IGBT功率模块的优劣检验办法

2021-08-27

IGBT管的优劣能用指针万用表的Rxlk挡来检验，或用数字万用表的“二极管”挡来检测PN结正方向压降完成判断。检验前先将IGBT管3只引脚短路放电，防止影响检验的准确度；之后用指针万用表的两枝电笔正反测G、e两极及G、c两极的电阻值，针对正常的IGBT管（正常G、C两极与G、c两极间的正反向电阻值均为无穷大；里面有阻尼二极管的IGBT管正常时，e、C极间均有4kΩ正方向电阻值），以上所测值均为无穷大；最后用指针万用表的红笔接c极，黑笔接e极，若所测值在3．5kΩl左右，则所测管为含阻尼二极管的IGBT管，若所测值在50kΩ左右，则所测IGBT管内不含阻尼二极管。针对数字万用表，正常情况下，IGBT管的C、C...

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怎么解决可控硅SiCMOSFET的桥臂串扰？

2021-08-26

SiCmosfet三相全桥逆变线路中，同一个桥臂上下功率器件很容易受元器件寄生参数的影响而相互产生干扰，该状况称之为桥臂串扰。这类状况很容易导致桥臂直通或烧毁功率器件。SiCMOSFET与SiIGBT对比，SiCMOSFET的栅极电压极限值和栅极阈值电压都相应较低，桥臂串扰情况愈发突出。在考虑SiCMOSFET寄生参数的影响下。 1）开通过程 2）关断过程以上就是传承电子对怎么解决可控硅SiCMOSFET的桥臂串扰的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加...

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igbt驱动维护线路的多功能型

2021-08-26

1.多功能型多功能型的大功率igbt模块驱动维护线路除了供应直接驱动igbt模块的作用以外，还能够供应完善的维护作用，如hcpl-316j、m57962等，如下图2和图3所显示，它们通常选用混合厚膜封装工艺或选用集成封装工艺，能够直接兼容cmos/ttl电平。设计师进行设计时通常只要搭配隔离电源线路、死区控制回路、逻辑处理线路、门极驱动电阻等，就可以变为1个比较完整的大功率igbt模块驱动维护线路。m57962、hcpl-316j等驱动器自身具备比较完整的维护作用，集成度高。其最大的特点是使开发人员的工作获得简化，且可靠性高，十分适合多路驱动的场所。但是因为它们的驱动能力也比较有限，倘若驱动更高功率的igbt模块，...

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可控硅的内部结构

2021-08-25

可控硅主要使用于无触点开关，调速，调光，稳压，变频等层面。可控硅在自动控制控制，机电行业，工业电气及家电等层面都是有普遍的运用。可控硅是1种有源开关元件，平常它维持在非导通模式，直到由1个较少的控制信号对其触发或称“点火”使其导通，一经被点火即便撤走触发信号它也维持导通模式，要让其断开可在其阳极与阴极间添加反方向电压或将流过可控硅二极管的电流减少到某一个值之下。可控硅二极管可以用两种不一样极性（P-N-P和N-P-N）晶体管来模拟，如下图G1所显示。当可控硅的栅极悬空时，BG1和BG2都处在断开模式，这时线路基本上无电流流过负载电阻RL，当栅极輸入1个正脉冲电压时BG2导通，使BG1的基极电位降低，BG1因...

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igbt功率模块驱动维护线路的单一功能型

2021-08-25

根据大功率igbt模块驱动维护线路能够完成的作用来划分，能够将大功率igbt模块驱动维护线路分成下列3种划分:单一功能型、多功能型、全功能型。单一功能型单一功能型的大功率igbt模块驱动维护线路通常是由光耦和功率缓冲器构成，如hcpl-3150等，如下图1所显示。它将普通控制信号的ttl/cmos輸入电平信号转换为正负十多伏的igbt模块门极驱动輸出电平，正负电平的幅度值决定于隔离电源。图1　hcpl-3150基本原理框图及引脚示意图设计师进行设计时可将它搭配隔离电源线路、死区控制回路、逻辑处理线路、门极驱动电阻等，就可直接驱动igbt模块，建立简单的大功率igbt模块驱动维护线路;也能够自...

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