新闻列表 - 传承电子科技(江苏)有限公司 - IGBT模块_可控硅模块

igbt检测方法

2021-09-03

igbt是经过栅极驱动电压来调节的开关晶体管，普遍用作变频器中当作直流逆变成交流的电力电子元器件。IGBT管的构造和原理与场效应晶体管（一般称之为MOSFET管）相同。IGBT管的符号如下图2所显示。G为栅极，C为集电极，E为发射极。数字万用表检测IGBT管的方式如下所示：（1）确定3个电极假定管子是好的，先确定栅极G。将数字万用表打到R×10kΩ挡，若检测到某一极与别的两极电阻值为无穷大，而对换表笔后测出该极与别的两极电阻值为无穷大，则可判定此极为栅极（G）。再检测剩下的两极。若测出电阻值为无穷大，而对换表笔后测出电阻值较小，这时红表笔（实为负极）接的为集电极（C），黑表笔（实为正极）接的为发射极（E）...

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可控硅模块的静态特性运行特性

2021-09-03

（1）正方向特性IG=0时，元器件两边增加正方向电压，仅有极小的正方向漏电流，为正方向阻断状态。正方向电压超过正方向转折电压Ubo，则漏电流急剧增加，元器件开通。由于门极电流幅值的增加，正方向转折电压降低。可控硅本身的压降极小，在1V左右。图3.可控硅的伏安特性（2）反方向特性反方向特性相似二极管的反方向特性。反方向阻断状况时，仅有极小的反相漏电流经过。当反方向电压达到反方向击穿电压后，将会造成可控硅起热毁坏。以上就是传承电子对可控硅模块的静态特性运行特性的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功...

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igbt功率模块的基本参数

2021-09-03

igbt功率模块绝缘栅双极型晶体管模块是场效应晶体管（MOSFET）和电力晶体管（GTR）组合而成的产品。它具备输入阻抗高、驱动功率小、开关损耗低、温度特性好及其开关频率高等特性。它比GTR（或BJT）更加新颖。IGBT模块的击穿电压已做到1200V，集电极最大饱和电流已高于1500A，最高工作频率能达30～40kHz，以igbt模块为逆变器件的变频器的载波频率一般是在10kHz之上，故电动机的电流波型较为平滑，电磁噪声极小。缺陷是断态时的击穿电压较低（最大约3.3kV），功能损耗很大，线路较繁杂。 igbt模块的基本参数（1）集电极-发射极额定电压UCES是igbt模块在断开情况下集电极与发射极中...

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可控硅过电压及保护

2021-09-03

1．可控硅关断过电压（换流过电压、空穴积蓄效应过电压）及保护可控硅从导通到阻断，线路电感（主要是变压器漏感LB）放出能量形成过电压。因为可控硅在导通期内，载流子充满元器件内部，在关断过程中，管子在反方向作用下，正方向电流降低到零时，元器件内部残留着载流子。这类载流子在反方向电压作用下瞬间发生较大的反方向电流，使残留的载流子快速消退，此时反方向电流减少即diG/dt极大，形成的感应电势较大，这一电势与电源串接，反方向放到已恢复阻断的元器件上，可造成可控硅反方向击穿。这就是关断过电压（换相过电压）。数值达到工作电压的5~6倍。保障措施：在可控硅两端并接阻容吸收线路。2．交流侧过电压以及保护因为...

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igbt的运行原理

2021-09-03

igbt绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）构成的复合全控型电压驱动式功率半导体元器件，兼具MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两层面的优势。GTR饱和压下降，载流密度大，但驱动电流过大；MOSFET驱动功率较小，控制开关速率快，但导通压降大，载流密度小。igbt结合了之上2种器件的优势，驱动功率小而饱和压下降。 igbt特别适合使用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等行业。图1所显示为1个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管构造，N+区称作源区，附于其上的电极称作源极。N+区称作漏区。器件的控制区为栅区，附于其...

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