新闻列表 - 传承电子科技(江苏)有限公司 - IGBT模块_可控硅模块

可控硅的构造

2021-09-07

可控硅模块，是可控硅整流元器件的简称，是某种具备3个PN结的四层构造的大功率半导体元器件，亦称作可控硅。具备体型小、构造相比简单、功能强等特性，是较为常见的半导体元器件其一。可控硅模块分单向可控硅和双向可控硅模块2种。双向可控硅模块也叫三端双向可控硅模块，简称TRIAC。双向可控硅模块在结构上等同于2个单向可控硅反方向连接，这类可控硅模块具备双向导通功能。其通断情况由控制极G决定。在控制极G上加正脉冲（或负脉冲）可使其正方向（或反方向）导通。这类设备的特点是控制线路简单，没有反方向耐压问题，因此十分适合做交流无触点开关使用。可控硅模块构造可控硅模块具备3个PN结（J1、J2、J3），组成了四层P1N1P2N...

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IGBT的组装接线图

2021-09-07

涂敷同样厚度的导热膏（尤其是涂敷厚度较厚的情形下）可让无铜底部板的模块比有铜底部板散热的模块的起热更严峻，最后导致模块的结温超过模块的安全工作的结温上限（Tj《125℃或125℃）。由于散热器表层不平整所引发的导热膏的厚度增加，会增大触碰热阻，从而减慢热量的扩散速度。IGBT模块组装时，螺钉的夹紧方式如下图2所显示。此外，螺钉应以推荐的夹紧力矩范围给予夹紧。倘若该力矩不足，将会使触碰热阻变大，或运行中出现松动。反之，倘若力矩过大，将会引发外壳破坏。将IGBT模块组装在由挤压模制作的散热器上时，IGBT模块的组装与散热器挤压方向平行，这是为了能减小散热器变形的影响。图2螺钉的夹紧方式把模块电焊到PCB...

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可控硅模块的好坏特性

2021-09-06

一、何为可控硅模块可控硅模块（Thyristor）是1种开关元件，能在高电压、大电流情况下运行，且其运行过程能够控制、被普遍使用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子线路中，是典型的小电流控制大电流的设施。1957年，美国通用电器公司开发出世上第1个可控硅模块产品，并且在1958年使其商业化。可控硅模块导通情况为：加正方向电压且门极有触发电流；其派生元器件有：快速可控硅模块，双向晶闸管，逆导可控硅模块，光控可控硅模块等。它是1种大功率开关型半导体器件，在线路中用文字符号为“V”、“VT”表达（旧标准中用字母“SCR”表达）。二、可控硅模块构造它是由1个P-N-P-N四层（4layers...

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igbt功率模块实物接线图解析

2021-09-07

IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）借助指定的线路桥接封装而成的模块化半导体商品；封装后的IGBT模块可以直接使用于变频器、UPS不间断电源等设施上；IGBT模块具备节能、组装检修便捷、散热稳定等特性；当今市场上出售的多以这类模块化商品，通常所指的IGBT也指IGBT模块；随之环保节能等观念的推动，这类商品在市场上将愈来愈多见。IGBT模块连接图 IGBT模块的组装：为了能使触碰热阻减小，建议在散热器与IGBT模块的组装面中间涂敷散热绝缘混合剂。涂敷散热绝缘混合剂时，在散热器或IGBT模块的金属基板表层涂敷。如下图1所显示。随之IGBT模块与散热器借助螺钉夹紧...

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可控硅的动态特性运行特性

2021-09-03

可控硅的动态特性运行特性（1）开通过程延迟时间td（0.5~1.5ms）上升时间tr（0.5~3ms）开通时间tgt上述二者之和，tgt=td+tr（1-6）图4.可控硅的开通和断开过程波形（2）断开过程反方向阻断恢复时间trr正方向阻断恢复时间tgr断开时间tq上述二者之和tq=trr+tgr（1-7）普通可控硅的断开时间约几百微秒以上就是传承电子对可控硅的动态特性运行特性的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。...

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