新闻列表 - 传承电子科技(江苏)有限公司 - IGBT模块_可控硅模块

可控硅的静态伏安性能

2021-08-17

第I象限的是正方向性能有阻断模式和导通模式之分。在正方向阻断模式时，可控硅的伏安性能是1组随门极电流的提高而不同的曲线簇。当IG足够大时，可控硅的正方向转折电压很小，能够看作与一般二极管相同.第III象限的是反方向性能可控硅的反方向性能与一般二极管的反方向性能相似。 IG=0时，元器件两边添加正方向电压，为正方向阻断模式，仅有很小的正方向漏电流流过，正方向电压超出临界极限即正方向转折电压Ubo，则漏电流急剧增加，元器件导通随之门极电流幅值的增加，正方向转折电压降低导通后的可控硅性能和二极管的正方向性能相仿可控硅本身的压降很小，在1V左右导通期间，倘若门极电流为零，且阳极电流降到接近于零的某一数值IH之...

了解详情了解详情

igbt功率模块的导通环节集射极电压解析

2021-08-17

集射极电压降低环节解析理想情况下，不考虑线路中的杂散电感和电阻，当续流二极管的电流做到最大的反方向电流时，二极管開始承载反方向电压，这时igbt模块两边的电压急速下降。igbt模块集射极电压降低包含两个阶段，第1个阶段类似MOSFET导通原理，耗尽区快速消退，电压急速下降，如下图一样的UCE_MOSFET阶段;第2个阶段是过剩载流子在基区内扩散，电导调制区增大，中性基区压降减少环节，如下图一样的UCE_BJT阶段。因为载流子扩散的速率远远慢于耗尽区消退的速率，所以这一阶段的电压衰减十分缓慢。杂散电感对电流提升阶段Vce的影响感性负载双脉冲测试线路如下图：负载电感够大，在导...

了解详情了解详情

光触发可控硅模块（LTT）

2021-08-16

通常的可控硅在栅极上另加电气信号后进到ON模式，而如果是LTT得话，则在栅极上照射光仟送过来的光信号，进到ON模式。能够从电力上将主电力系统和驱系统分离开来，因此能令设备的构造更加间单。主要用途．直流输电用电力变换设备．周围端数变换设备、无效电力补偿设备以上就是传承电子对光触发可控硅模块（LTT）的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。...

了解详情了解详情

igbt启动过程集电极电流解析

2021-08-16

启动电流当栅极电压超过阈值电压时，集电极电流以非常快的速度升高，所以在集电极电流由零升高到负载电流这个短时间内，栅极电压能够近似看做是线性增长，进而igbt模块集电极电流在抵达负载电流前，能够看做igbt模块集电极电流曲线为二次函数曲线，即Ic=at2当中a由芯片参数和功率电路参数、驱动电路参数一起确定。二极管反向恢复过程igbt模块集电极电流过冲与续流二极管的反向恢复过程相对应。igbt模块集电极电流不断增大的过程中，续流二极管中的少子浓度渐渐减低，反偏电流密度梯度也渐渐减少。当续流二极管到达反偏电流的最大值，二极管中耗尽区边沿少子浓度到达热平衡浓度。之后，二极管进到反向恢复时期...

了解详情了解详情

什么叫高电压、大电流可控硅

2021-08-13

做为数千V、数百A的电力控制用元器件，分为GTO（门极断开可控硅）和LTT（光触发可控硅）门极断开可控硅（GTO）GTO构造和表通常的可控硅相似，和通常的可控硅同样在栅极和阴极间另加正方向电压得话，便会进到ON模式。另外，在栅极上另加反方向电压主，让阳极电流被栅极侧吸收得话，就能进到OFF模式的自已消弧型可控硅。主要用途1、铁路电车驱动设备2、工业用马达驱动设备 GTO的构造、图形记号以上就是传承电子对什么叫高电压、大电流可控硅的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来...

了解详情了解详情