新闻列表 - 传承电子科技(江苏)有限公司 - IGBT模块_可控硅模块

igbt功率模块开通延时过程中驱动线路等效线路

2021-08-13

因为在igbt模块集电极电流提升前，igbt模块依然处在断开情况，栅极电压的变化量相较于igbt模块的阻断电压就可以忽略。所以，栅极电压的提升过程关于栅极—集电极电容(Cgc)和电荷量的影响力就可以忽略，所以开通延时阶段的充电过程只针对电容C1、C2和Cgp。所以，结合驱动线路的等效线路，就可以获得以上充电过程中驱动线路的等效线路如下图所显示：当中Vg为栅极驱动板输出电压，Ｒg为驱动电阻，Cin为驱动板輸出端口电容，Ｒs和Ls分别为驱动线路寄生电阻和寄生电感。栅极电压逐渐提升一定时间后抵达阈值电压，集电极电流逐渐提升，这一过程也称作开通延迟，一般我们表达为td(on)。鉴于以上解析得知，栅极电压在抵达阈值电...

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可控硅模块的运行过程

2021-08-12

可控硅是四层三端元器件，它有J1、J2、J33个PN结图1，能够把它之间的NP分为两部分，组成1个PNP型三极管和1个NPN型三极管的复合管图2当可控硅承担正方向阳极电压时，为使可控硅导通，需要使承担反方向电压的PN结J2丢失阻挡功效。图2中每一个晶体管的集电极电流同时便是另1个晶体管的基极电流。所以，2个相互复合的晶体管线路，当有充足的门极电流Ig流进时，便会生成强烈的正反馈，导致两晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。设PNP管和NPN管的集电极电流对应为Ic1和Ic2；发射极电流对应为Ia和Ik；电流放大系数对应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，设经过J2结的反相漏电电流为Ic0，...

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igbt开通延迟过程

2021-08-12

igbt模块栅极电容的组成 Ciss=CGE+CGC輸入电容Coss=CGC+CEC輸出电容Crss=CGC米勒电容下边是较为详细的电容分布：关于igbt模块元器件，栅极电容包含4个层面电容，如圖所显示：(1)栅极—发射极金属电容C1(2)栅极—N+源极氧化层电容C2(3)栅极—P基区电容Cgp，Cgp由C3，C5组成;(4)栅极—集电极电容Cgc，Cgc由C4，C6组成。当中，栅极—发射极电容(也称作輸入电容)为Cge=C1+C2+Cgp，栅极—集电极电容(也称作反方向传输电容或密勒电容)为Cgc。除此之外，Cgp随栅极电压的变动而变动，Cgc随igb...

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可控硅的类别

2021-08-11

可控硅按其断开、接通及控制形式可分成普通可控硅（SCR）、双向晶闸管（TRIAC）、逆导可控硅（RCT）、门极断开可控硅（GTO）、BTG可控硅、温控可控硅（TT国外，TTS国内）和光控可控硅（LTT）等多种。可控硅按其引脚和极性可分成二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅。可控硅按其封装形式可分成金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅3种类型。其中，金属封装可控硅又分成螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封可控硅又分成带散热片型和不带散热片型2种。可控硅按电流容量可分成大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅3种。一般，大功率可控硅多选用陶瓷封装，而中、小功率可控硅则多选用塑封或金属封装。可控硅按其断开速度...

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igbt功率模块的基本构造

2021-08-11

前边我们也简洁的讲过了igbt模块的基本构造，igbt模块是由双极型功率晶体管(高耐压、大容量)和MOSFET(高开关速度)组成，因此igbt模块具备了2种元器件的特性，高耐压、大电流、高开关速度。上图是igbt模块芯片的横向截面图，图上的P+和N+表明集电区和源区为重掺杂，N-表明基区掺杂浓度较低。igbt模块和MOSFET一样，在门极上外加正方向电压就能导通，但因为通过在漏极上追加了P+层，使得在导通情况下，P+层向N基极注入空穴，进而引发了传导性能的转变，因此，igbt模块和MOSFET相比，可以取得极低的通态电阻，也就是igbt模块拥有较低的通态压降。由图1(a)得知，单个igbt模块...

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