新闻列表 - 传承电子科技(江苏)有限公司 - IGBT模块_可控硅模块

igbt过压过热损坏修复方案

2021-08-20

1、过电压毁坏处理避免过电压毁坏方式有提升主线路的工艺构造，通过减小大电流回路的路径来减少线路寄生电感；适度提升igbt驱动电阻值RG使开关速度减慢（但开关损耗也提升了）；设计缓冲线路，对尖峰电压完成抑制。用作缓冲线路中的二极管需要是快恢复二极管，电容需要是高频、损耗小、频率特性好的薄膜电容。如此才能取得好的吸收效果。igbt的VGE的保证值为±20V，加在igbt上的VGE若超过保证值，将会造成 igbt毁坏，所以在栅极—发射极间的电压不可超过保证值，另外，在栅极—发射极问开路时，若在集电极—发射极间添加电压，随着集电极电位的变化，因为有漏电流流过，栅极电位上升，集电极则有电流流过。倘若这时在集电极—发射集间处在高...

了解详情了解详情

双向可控硅调光控制线路原理图

2021-08-19

交流调压是把不变的交流电压转换成有效值可调式的交流电压，用1只双向可控硅替代2只反并接可控硅，可使线路大大简化。被普遍使用于工业加热、灯光控制、感应电动机的调速和电解电镀的交流侧调压等场所。用双向可控硅构成的调光控制回路如下图1所显示，调整RP可转变灯泡E的亮度的大小。以上就是传承电子对双向可控硅调光控制线路原理图的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。...

了解详情了解详情

igbt功率模块过电流毁坏的解决对策

2021-08-19

为了避免igbt模块出现锁定效应而毁坏，在线路设计中应确保igbt模块的最大工作电流应不超过igbt模块的IDM值，同时留意可适度提升驱动电阻值RG的方式延长关闭时间，减少igbt模块的di/dt。驱动电压的大小也会干扰igbt模块的锁定效应，驱动电压低，承担过电流时间长，igbt模块需要加负偏压，igbt模块厂家通常建议加－5V左右的反偏电压。在有负偏压情形下，驱动正电压在10~15V间，igbt模块发射极的电流可在5~10μs内超出额定电流的4~10倍，因此 igbt模块需要设有驱动负偏压。鉴于负载冲击特性各不相同，且供电的设备可能出现电源短路故障，因此在设计中采取限流措施对igbt模块的电流限制也是需要的，可考虑选用...

了解详情了解详情

可控硅模块的动态性能

2021-08-18

与二极管类似于，导通、断开过程形成动态损耗可控硅模块的导通和断开过程波形 1)导通过程延迟时间td：门极电流阶跃时刻开始，到阳极电流升高到稳态值的10%的時间上升时间tr：阳极电流从10%升高到稳态值的90%需要的時间导通時间tgt：上述二者之和，tgt=td+tr 普通可控硅模块延迟时间0.5~1.5?s，上升时间为0.5~3s2)断开过程反方向阻断恢复時间trr：正方向电流降至零到反向恢复电流衰减至近于零的時间。正方向阻断恢复時间tgr：可控硅模块要恢复其对正方向电压的阻断能力，还需要一段时间。在正方向阻断恢复時间内，倘若重新对可控硅模块添加正方向电压，可控硅模块会重新正...

了解详情了解详情

igbt导通波型

2021-08-18

igbt的导通波型以下：分成5各阶段：①导通延迟阶段在这个阶段中，驱动线路给輸入电容充电，栅极电压逐渐提高，当栅极电压抵达阈值电压之后，igbt导通，集电极电流開始提高。必须指明的是，阶段1一样虚线圆圈内的栅极电压有个斜率增加的环节，相对于栅极电压在提升的环节中，栅极輸入电容变化的环节。②电流提升阶段在这个阶段中，MOSFET沟道导通，因为电流上涨速度特别快，短期内栅极电压类似线性增长。当集电极电流IC低于负载电流时，IC可以用开口向上的二次函数拟合，这时的集射极电压伴随着集电极电流的提升而线性降低。③集射极电压快速降低过程当igbt集电极电流IC高于峰值电流IL+I...

了解详情了解详情