IGBT模块制作时的一些注意事项
IGBT模块制作时的一些注意事项
2022-04-21
a,栅极与一切导电区要绝缘,防止形成静电而击穿,所以包装时将g极和e极中间要有导电泡沫塑料,将它短接。安装时切忌用手指直接接触,直到g极管脚进行永久性连接。 b、主线路用螺丝扭紧,控制极g要用插件,尽可能不用焊接方式。c、装卸时应运用接地保护工作台,接地保护地面,接地保护腕带等防静电举措。d、仪器测量时,将1000电阻与g极串连。e、要在无电源时进行安装。f,焊接g极时,电烙铁要断电并接地保护,使用定温电烙铁适宜。当手工焊接时,温度260±5℃.时间(10±1)秒,松香焊剂。波峰焊接时,PCB板要预热80℃-105℃,在245℃时浸入焊接3-4发展趋势igbt模块发展趋...
了解详情可控硅模块实现两电平变频器的工艺
可控硅模块实现两电平变频器的工艺
2022-04-20
普通级联高压变频器主电路拓扑和功率单元内部线路分别如下图1、图2所显示,根据IGCT元器件的两电平变频器主线路拓扑如下图3所显示。 由图3得知,两电平高压(6kv)变频器串连后的单一功率管要承担的额定电压为6000×√2÷≈32800(v),最大运作电压达到2800×1.15×1.08≈3500(v)(考虑过电压15%和变压器阻抗8%),这对单管吸收电路以及控制提出了很高的必须。由图1、图2得知,级联产品每一个功率管必须承担的额定电压为6000÷√3×√2÷5×1.15×1.08≈1200(V)。所以,两电平拓扑高压变频器的达到难度要比级联式变频器高得多。该两电平高压(6kV)变频...
了解详情IGBT功率模块
IGBT功率模块
2022-04-19
IGBT功率模块是以绝缘栅双极型晶体管(IGBT)组成的功率模块。因为IGBT模块为MOSFET构造,IGBT的栅极经过一层氧化膜与发射极实现电隔离,具备出色的元器件性能。普遍使用于伺服电机、变频器、变频家电等领域。 工艺特点IGBT功率模块是电压型控制,输入阻抗大,驱动功率小,控制线路简单,开关损耗小,通断速度快,工作频率高,元件容量大等优势。实际上是个复合功率器件,它集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优势于一体化。又因先进的生产工艺使它通态饱和电压低,开关频率高(可达20khz),这两点十分显著的特性,近期西门子公司又发布低饱和压降(2.2v)的npt-IGBT性能更佳,相继东芝、富士、i...
了解详情集成门极换流晶闸管模块
集成门极换流晶闸管模块
2022-04-18
在国际能源紧缺、地球变暖的严峻形势下,降低能源消耗、降低温室气体大量排放变为首要任务。实际表明,对一定工作状况下的工业电动机实现变频调速是1种行之有效的节能办法。根据统计,我国仅待调速节能的风机便有4000多万台,年耗电量约15oo亿kW·h,节能潜力达450亿kW·h/年,节能潜力极大。 节能效果显著的高压变频器早期之所以会推广速度缓慢,一方面是由于一次性投入较大且某些产品可靠性不高,另一方面是由于应用变频器之后会带来某些新的问题,如电网谐波污染、电机谐波耗损发热及电机绝缘老化等。伴随着国家对节能减排的重视和变频器技术的发展,高性价比高压变频器的应用越来越多普通变频器往往具有较高的di/dt和du/dt电应...
了解详情绝缘栅双极晶体管(igbt模块)
绝缘栅双极晶体管(igbt模块)
2022-04-01
igbt模块(InsulatedGateBipolarTransistor)是MOS构造双极元器件,属于具备功率MOSFET的高速性能与双极的低电阻性能的功率器件。igbt模块的用范围通常都是在耐压600V以上、电流10A以上、频率为1kHz以上的区域。多用在工业用电机、民用小容量电机、变换器(逆变器)、照像机的频闪观测器、感应加热(InductionHeating)电饭锅等行业。按照封装的不同,igbt模块大体上分成2种类型,1种是模压树脂密封的三端单体封装型,从TO-3P到小型表层贴装都已形成系列。另一种是把igbt模块与FWD(FleeWheelDiode)成对地(2或6组)封装起来的模块型,主要用在工业...
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