新闻列表 - 传承电子科技(江苏)有限公司 - IGBT模块_可控硅模块

igbt模块驱动线路优化办法解析

2021-05-18

图1中用框标明的线路便是对原来驱动线路的优化。借助在门极添加稳压管、二极管、电容和电阻，能够比较好地吸收上升沿、下降沿和尖峰。由图3和图4对比能够得出，在较小延时的情形下，应把尖峰减到最低。从图3能够得出，要降低的尖峰主要是负脉冲后沿的过冲尖峰，由于这一尖峰极有可能超过igbt模块的导通电压(Vth)，如此便会导致同一桥臂的两种igbt模块直通；另外由图5能够得出，在满负载(600V／30A)情况下，驱动波型具备不错的稳定性，并且没有大的尖峰，这就保障了igbt模块稳定、安全的工作。驱动等效线路如图6所示。当中，Lm为变压器次边的励磁电感；Z1为稳压管(其反方向等同于1个二极管，因此图上就...

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双向可控硅模块的检测

2021-05-17

可控硅分单向可控硅模块、双向可控硅模块。双向可控硅模块有第1阳极A1（T1），第2阳极A2（T2）、控制极G3个引出脚。双向可控硅模块第1阳极A1与第2阳极A2间，不管所加电压极性是正方向还是反方向，只要控制极G和第1阳极A1间加有正负极性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻模式。这时A1、A2间压降也约为1V。双向可控硅模块一旦导通，即便失去触发电压，也能继续保持导通模式。唯有当第1阳极A1、第2阳极A2电流降低，低于维持电流或A1、A2间当电压极性转变且没有触发电压时，双向可控硅模块才断开，这时唯有重新加触发电压才能导通。用数字万用表电阻值R*1Ω挡，用红、黑两表笔各自测任意两引脚间正反向电阻值，结果当中...

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igbt模块强驱动线路的设计

2021-05-17

图2是一个脉冲周期，当正脉冲上升沿(t0～t3)来临时(这儿只考量正脉冲)，电容C等同于短路，利用二极管D和电容C能够给igbt模块供应很大的瞬间电流，把驱动脉冲的上升时间减短。图2中正脉冲便是igbt模块的驱动信号，这一负脉冲的上升沿也是由另一个一条线驱动脉冲感应来的，因此所要探讨的便是另一条线驱动脉冲的下降沿尖峰，这4路輸出脉冲是相同的，因此只需探讨一条线。但为了能直观、完整，这儿就把它当作是本路负脉冲的上升沿来探讨(下边提及的负脉冲都是这类情形)。自然稳压管这一条线路也是有电流流过，但与加速电容C这一条线路对比就比较小。若不添加电阻R，这一电容会通过几个脉冲周期充满电荷，而丧失加速功效，因此规...

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单向可控硅模块的检测

2021-05-14

可控硅分单向可控硅模块、双向可控硅模块。单向可控硅模块有阳极A、阴极K、控制极G3个引出脚。唯有当单向可控硅模块阳极A与阴极K中间加有正方向电压，并且控制极G与阴极间加所需要的正方向触发电压时，才能被触发导通。这时A、K间呈低阻导通模式，阳极A与阴极K间压降约1V。单向可控硅模块导通后，控制器G即便失去触发电压，要是阳极A和阴极K中间仍保持正方向电压，单向可控硅模块仍然处在低阻导通模式。唯有把阳极A电压拆卸或阳极A、阴极K间电压极性发生改变（交流过零）时，单向可控硅模块才由低阻导通模式变换为高阻截止模式。单向可控硅模块一旦截止，即便阳极A和阴极K间又重新加正方向电压，仍需在控制极G和阴极K间有重新加正方向触发电压才能...

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igbt模块驱动线路存在的不足

2021-05-14

在中频脉冲渗碳电源中，能快速建立过流保护是首要的，而驱动脉冲无延缓地传递，对即时过流保护起关键作用；另外为了降低开关损耗，还需很陡的驱动脉冲上升沿和下降沿；某些特殊场所需紧凑而简洁、不附加驱动电源等。综合考虑到上述需，选择变压器隔离全桥驱动线路，其线路如图1所示。图1中2个桥臂各选择1个N-MOSFET和1个P-MOSFET。两路PWM控制信号1或2为高电平时，即1为高电平，2为低电平，Q1和Q4关断，Q2和Q3导通，Q5导通。这时，Q2，Q3和T1的原边绕组就建立通道，脉冲电压加在T1的原边，相对的次边会获得驱动脉冲信号。1，2都为低电平时，Q1，Q2会另外导通，T1原边被短路，则次边无脉冲輸出。...

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