新闻列表 - 传承电子科技(江苏)有限公司 - IGBT模块_可控硅模块

igbt的工作原理是什么?

2021-10-27

igbt的等效线路如下图1所显示。由图1可知,若在igbt的栅极和发射极间添加驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极间成低阻状态而促使晶体管导通;若igbt的栅极和发射极间电压为0V,则MOSFET断开,切断PNP晶体管基极电流的供应,促使晶体管断开。由此可知,igbt的安全可靠是否主要由下列因素确定：1、igbt栅极与发射极间的电压;2、igbt集电极与发射极间的电压;3、流经igbt集电极－发射极的电流;4、igbt的结温。倘若igbt栅极与发射极间的电压,即驱动电压过低,则igbt无法稳定正常地运行,倘若过高超出栅极－发射极间的耐压则igbt将会...

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热敏可控硅模块温度报警电路图

2021-10-26

热敏可控硅模块又叫可控硅模块温度开关器,它是1种PNPN结,是由3个PN结串接而成的三端半导体器件。它有3个电极,即阳极、阴极和门极,线路图形符号如下图285a、b所显示,文字符号用VTT表达。热敏可控硅模块的构造特性与普通可控硅模块(VTH)大致相同。只是VTT用离子注入法使其构造对温度非常敏感,可使元器件由正方向阻断模式向导通模式的转变完成温度控制作用,即温度触发,当温度上升时,ⅥT'内形成很多的电子空穴对,被PN结搜集,这就等同于在门极G触发状况下的栅加入一样,会转变热敏可控硅模块的开关电压值,且在不同温度下开关电压值不同。图c中安装了3个热敏可控硅模块VTT,各自置于3个监视点。当某一条路中的温度到达了热敏可...

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igbt功率模块内部电阻参数

2021-10-25

igbt模块晶体管是集GTR与MOSFET两者优势于一体的复合元器件，它不仅有MOSFET的输入阻抗高、速度更快、开关损耗小、驱动线路简单、规定驱动功率小、极限工作温度高、易驱动的特性，又具备功率晶体管GTR的通态电压低、耐压高和电流容量大的优势，为电压控制通断的自断开元器件，其频率特性处于MOSFET与功率晶体管间，可常规运行于数十kHz频率范围内，功率元器件igbt模块正日益普遍地运用于体型小、噪音低、特性高的变频电源及大功率的交流伺服电机的调速系统中，在较高频率的大、中功率运用中占据了主导地位，并已開始在上述行业中替代功率双极性晶体管GTR和功率场效应管MOSFET中。与GTR和MOSFET一致，igbt模块运用的关键...

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晶闸管模块为何其有“以小控大”的可控性呢？

2021-10-22

第一，我们可以把从阴极往上数的第一、二、三层看面是1只NPN型号晶体管，而二、三四层构成另一只PNP型晶体管。当中第二、第三层为两管交迭共用。当在阳极和阴极间添加1个正方向电压Ea，又在控制极G和阴极C间（相当于BG1 的基一射间）輸入1个正的触发信号，BG1 将形成基极电流Ib1 ，经扩大，BG1 将有个放大了β1 倍的集电极电流IC1 。因为BG1 集电极与BG2 基极相接，IC1 也是BG2 的基极电流Ib2。BG2 又把比Ib2 （Ib1 ）扩大了β2的集电极电流IC2 送回BG1 的基极扩大。这般循环扩大，直至BG1 、BG2 彻底导通。实际这个过程是“一触即发”的过程，对晶闸管模块而言，触发信号添加控制极，晶闸管...

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igbt的内部电压参数

2021-10-21

随之半导体元器件制作技术的不断完善和制造技术的提升，半导体功率元器件正向着大电流、高电压、快通断、功能损耗小、易保护、模块化方向发展，现在已经出现了双极性晶体管GTR、功率场效应管MOSFET、功率绝缘栅控双极性晶体管igbt模块。功率igbt模块是电压驱动元器件，具备一个(3～6)V的阈值电压，有个很大的容性输入阻抗，对栅极电荷十分敏感，故驱动线路一定很可靠，igbt模块开关特性和安全工作区随之栅极驱动线路特性的变化而变化，驱动线路特性直接确定igbt模块能否常规运行，igbt模块常选用栅极驱动，与其它自断开元器件一致，igbt模块对驱动线路也是有一些特别要求。极驱动电压UGE。在igbt模块开通时，脉冲前沿很陡的...

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