新闻列表 - 传承电子科技(江苏)有限公司 - IGBT模块_可控硅模块

全波整流桥线路输出电压波型图

2021-11-01

倘若把整流线路的构造作某些调整，能够获得1种能充分利用电能的全波整流线路。图5-3是全波整流线路的电原理图。全波整流线路，能够看成是由2个半波整流线路组成的。变压器次级线圈中间须要导出1个抽头，把次组线圈划分2个对称的绕组，进而导出大小相同但极性相反的2个电压e2a、e2b，组成e2a、D1、Rfz与e2b、D2、Rfz，2个通电电路。全波整流线路的工作原理，能用图5-4所显示的波型图表明。在0～π间内，e2a对Dl为正方向电压，D1导通，在Rfz上获得上正下负的电压；e2b对D2为反方向电压，D2不导通（见图5-4（b）。在π-2π时间内，e2b对D2为正方向电压，D2导通，在Rfz上获得的仍然是上正...

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半波整流桥线路输出电压波型图

2021-11-01

图5-1、是1种最简单的整流桥线路。它由电源变压器B、整流二极管D和负载电阻Rfz，构成。变压器把市电电压（多为220伏）转换为所要的交变电压e2，D再把交流电转换为脉动直流电。下边从图5-2的波型图上看着二极管是如何整流的。变压器砍级电压e2，是一个方向和大小都随时间变化的正弦波电压，它的波型如下图5-2（a）所显示。在0～K时间内，e2为正半周即变压器上端为正下端为负。此时二极管承担正方向电压面导通，e2经过它加到负载电阻Rfz上，在π～2π时间内，e2为负半周，变压器次级下端为正，上端为负。此时D承担反方向电压，不导通，Rfz，上无电压。在π～2π时间内，重复0～π时间的过程，而在3...

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检测可控硅模块的触发能力

2021-11-01

要使可控硅模块导通，需要符合下列标准：第1 ：可控硅模块处在正方向接法，即阳极接电源正极，阴极接电源负极；第2：给门要添加正触发信号VGT。可控硅模块一经导通，门极就丧失控制功能，仅当阳极电压VA降某一规定值或添加反方向电压时，可控硅模块才能断开。检测可控硅模块触发能力的线路见图1。数字万用表选用R×1（或R×10）档。因表内电池电压仅1.5V低于正常的VGT值，（通常为2.5～4V），故不会毁坏可控硅模块。检测分2步进行：第一步，先断开开关S，这时可控硅模块并未导通，测得的电阻值过大，指针应停在无穷大处。之后合上开关，将门极与阳极连通，使门极电位升高，这等同于添加正触发信号，所...

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igbt功率模块智能化驱动板SCALE简述

2021-10-29

由于IGBT（绝缘栅双极性晶体管）是1种电压控制型功率元器件，它所需驱动功率小，控制线路便捷，导通压减少，且具备很高的安全工作区和短路承受力。因此，当前IGBT已在中功率之上的电力电子系统中（如变频器、UPS电源、高频焊机等）逐步替代了POWERMOSFET及POWERBJT而作为功率开关元器件使用中的重要成员。但是?怎样合理有效地驱动并保护IGBT则作为当前电力电子领域中的重要研究课题之一。一个具备保护作用的驱动线路不仅能在常规运行状态下给IGBT供应需要的驱动功率，在异常运行状态下能起保护IGBT的作用，并且理应能使电力电子系统中的IGBT有很好的替换特点。因此?高性能的驱动线路是提升电子产品品质和可靠性，进而增强其竞争...

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逆导可控硅(RCT)是什么？

2021-10-28

逆导可控硅模块的符号、等效线路如下图1(a)、(b)所显示。其伏安特性见图2。由图显见，逆导可控硅模块的伏安特性具备不对称性，正方向特性与普通可控硅模块SCR相同，而反方向特性与硅整流管的正方向特性相同（仅坐标位置不同）。逆导可控硅模块的典型产品外型见图1(c)。它选用TO-220封装，3个引出端分别是门极G、阳极A、阴极K。逆导可控硅模块的基本参数如下所示：断态重复峰值电压VDRM：＞750V通态平均电流IT（AV）：5A最大的通态电压VT：3V（IT=30A）最大的反向导通电压VTR：＜0.8V最大的...

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