新闻列表 - 传承电子科技(江苏)有限公司 - IGBT模块_可控硅模块

双向可控硅模块基本原理

2021-08-10

双向可控硅能等效为2个单向可控硅反方向并接，如下图4-47所显示。双向可控硅能控制双向导通，所以除控制极G外的另2个电极不再分阳极、阴极，而称之为主电极T1、T2。当有触发电压加至控制极G时，双向可控硅导通，井在触发电压消退后仍继续导通状态，电流既可从T1通过VS2流入T2，又可从T2通过VS1流入Tl。当电流低于可控硅的继续电流时可控硅断开。单向可控硅只会单向导通，而双向可控硅能双向导通。现以图1-13所显示线路来阐述双向可控硅的2种触发导通方式。以上就是传承电子对双向可控硅模块基本原理的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的...

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igbt运行过程的解析

2021-08-10

igbt做为具备开关速度快，导通耗损低的电压控制型开关元器件被普遍使用于高压大容量变频器和直流输电等行业。如今igbt模块的使用比较注重的是较低的导通压降和低的开关损耗。做为开关元器件，分析它的运行和断开过程自然是必不可少的，今日我们就来说说igbt模块的运行过程。一开始我们简洁讲解过igbt模块的基本构造和原理，不同的行业对使用igbt模块时，对其深入的程度也会不同，但是做为1个开关元器件，运行和断开的过程，我觉得用得着认识一下。随之载流子寿命控制等工艺的使用，igbt模块断开耗损取得了明显改善;另外，大功率igbt模块元器件内部续流二极管的反向恢复过程，很大地提升了igbt模块的运行耗损，因此，igbt...

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双向可控硅温度控制系统的电路原理

2021-08-09

在双向可控硅温度控制线路中，RT、VT1、VT2和RP构成温控触发线路，双向可控硅V为温控开关，了解下双向可控硅达到温度控制系统的方式。双向可控硅温度控制线路，如下图：图1，双向可控硅温度控制线路RT、VT1、VT2和RP构成温控触发线路，双向可控硅V为温控开关。LED3、LED4反方向连接，提供2.3V交流电压。线路接通后，热敏电阻RT两边交流电压URT》0.6V，交流正半波时VT1导通，经二极管VD1触发，V导通，交流负半波时VT2导通，经VD2负向触发，V导通，使电阻丝RL流过电流加热。温度上升到某个数值，调节电位器RP，使URT《0.6V，三极管截止，V不被触发导通，...

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选择MOS管或是igbt功率模块？

2021-08-09

在线路中，选择MOS管当作功率开关管或是选择IGBT管，这也是工程师常面临的问题，倘若从系统的电压、电流、变换功率等要素当作考虑，能够归纳出下列几点：也可从下图看得出二者使用的情况，阴影部分区域表明MOSFET和igbt模块都能够选择，“？”表明目前工艺还难以做到的水准。总体而言，MOSFET优势是高频特点好，能够工作频率可以做到几百kHz、上MHz，弊端是导通电阻大在高压大电流场所功能损耗较大；而igbt模块在低频及较大功率场所下表現优越，其导通电阻小，耐压高。MOSFET运用于开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源行业；igbt模块集中运用于焊机、逆变器...

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可控硅模块的保护措施

2021-08-06

可控硅元器件的关键缺陷是承载过电流和国电压的能力很差，即便短时间的过流和过电压，也能够造成可控硅的毁坏，因此需要对它使用恰当的保障措施。 1.过电流保护可控硅发生过电流的关键因素是过载、短路和误触发。过电流保护有下列几种：快速容断器快速容断器中的溶丝是银质的，只需选择恰当，在相同的过电流倍数下，它能够在可控硅毁坏前先溶断，进而保护了可控硅。过电流继电器当电流超出过电流继电器的整定值时，过电流继电器便会运作，断开保护线路。但因为继电器运作到断开线路需要一定時间，因此只能作为可控硅的过载保护。过载截止保护通过过电流的信号将可控硅的触发信号后挪，或使可控硅得导通角降低，或索性终止触发保护可控...

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