新闻列表 - 传承电子科技(江苏)有限公司 - IGBT模块_可控硅模块

MOS管和igbt的结构特点

2021-08-05

在电子线路中，MOS管和 IGBT 管会时常出现，它们都能够当做开关元件来用，MOS管和IGBT管在外型及特征参数也有点类似，那为何有一些线路用MOS管？而有一些线路用IGBT管？MOS管和igbt模块的结构特点MOS管和IGBT管的内部构造如下图所显示： igbt模块是利用在MOSFET的漏极上追加层而组成的。igbt模块的理想等效线路如下图所显示，igbt模块实际便是MOSFET和晶体管三极管的组合，MOSFET存有导通电阻高的弊端，但igbt模块摆脱了这个弊端，在高压时igbt模块仍有着较低的导通电阻。此外，类似功率容量的igbt模块和MOSFET，igbt模块的速度也...

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可控硅归类详细说明

2021-08-04

晶闸管是晶体闸流管(Thyristor)的简称，谷称可控硅，它是1种功率大的开关型半导体元器件，在线路中用文字符号为“V”、“VT”表达（旧标准中用字母“SCR”表达）。可控硅具备硅整流器件的性能，能在高电压、大电流情况下运行，且其运行过程还可以控制、被普遍使用于可控整流、交流调压、无触点开关、逆变及变频等电子线路中。可控硅有多种分类方法。（一）按断开、导通及控制形式归类可控硅按其断开、导通及控制形式可分成普通可控硅、双向晶闸管、逆导可控硅、门极断开可控硅（GTO）、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。（二）按引脚和极性归类可控硅按其引脚和极性可分成二极可控硅、三极可控硅和四极...

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何为IGBT功率模块？

2021-08-03

IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），绝缘栅双极型晶体管，是由晶体三极管和MOS管构成的复合型半导体元器件。IGBT当做新型电子半导体元器件，有着输入阻抗高，电压控制功耗低，控制回路简易，耐高压，承载电流大等特征，在各类电子线路中取得极普遍的使用。 IGBT的电路符号迄今尚未统一，画电路原理图时通常是借用三极管、MOS管的符号，这时可以从电路原理图上标记的型号来分辨是IGBT或是MOS管。与此同时还需要留意IGBT有没有体二极管，图上没有标明并不代表肯定没有，除非是官方资料有特别说明，不然这一二极管都是存在的。 igbt功率模块里面的体二极管并不是寄...

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单向可控硅模块的构造与符号

2021-08-02

晶体闸流管又称可控硅，简称可控硅。是在晶体管基础上发展出来的1种大功率半导体元器件。它的出現使半导体元器件由弱电行业拓展到强电行业。可控硅也像半导体二极管那般有着单向导电性，但它的导通时间是可以控制的，一般用作整流、逆变、调压及开关等层面。可控硅外型如下图7-1-1所显示，有小型塑封型（小功率）、平面型（中功率）和螺栓型（中、大功率）几类。单向可控硅的内部构造如下图7-1-2（a）所显示，它是由PNPN四层半导体材料构成的三端半导体元器件，3个引出端分另为阳极A、阴极K和门极G。单向可控硅的阳极与阴极中间有着单向导电的性能，其内部能够等效为由1只PNP三极管和1只NPN三极管构成的复合管，如下图7-1-2（...

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何为MOS管？与igbt的区别

2021-07-30

场效应管主要有2种类别，分别是结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。 MOS管即 MOSFET，中文全名是金属- 氧化物半导体场效应晶体管，因为这类场效应管的栅极被绝缘层隔离，因此又叫绝缘栅场效应管。MOSFET又可划分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型4大类。（MOSFET类型与电路符号）有的MOSFET内部会有一个二极管，它是体二极管，或是叫寄生二极管、续流二极管。对于寄生二极管的功能，有2种诠释：1、MOSFET的寄生二极管，功能是避免VDD过电压的状况下，损坏MOS管，因为在过电压对MOS管引起毁坏前，二极管先反方向击穿，将大电...

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