新闻列表 - 传承电子科技(江苏)有限公司 - IGBT模块_可控硅模块

可控硅模块的基本参数

2021-07-09

1．额定通态平均电流量额定通态平均电流量厶指的是可控硅MM3Z6V2T1G导通时所容许通过的最大交流正弦电流量的有效值。应当选用用厶高于线路运行电流量的可控硅。 2．正反向阻断峰值电压正方向阻断峰值电压UD。M指的是可控硅正方向阻断时所容许重复施加的正方向电压的峰值。反方向峰值电压URRM指的是容许重复加在可控硅两端的反方向电压的峰值。线路施加在可控硅上的电压必须低于UDRM与URRM，并留有一定余量，以免造成击穿毁坏。3．维持电流量维持电流量矗指的是保持可控硅导通所需要的最小正方向电流量。当通过可控硅的电流量低于h时，可控硅将退出导通情况而阻断。4．控制极触发电压和电流 ...

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可控硅的伏安特性是指什么

2021-07-08

可控硅的伏安特性曲线指的是可控硅阳极电流量IA、阳极与阴极间电压UAK及控制极电流量Ic间的相互关系。 1）正方向特性当可控硅（可控硅）的阳极和阴极间添加正方向电压，而控制极不添加电压时，可控硅的Jl、J3结处在正方向偏置，J2结处在反方向偏置，可控硅只有通过较小的正方向漏电流，即特性曲线的OA段，称作正方向阻断情况。当阳极电压持续提升到图中的UBO值时，J2结被反方向击穿，阳极电流量骤然升高，特性曲线忽然由A点跳至B点，可控硅进到导通情况，这是1种不正常情况。常规运行时，不允许正方向电压到达转折电压，避免可控硅丧失可控功能。可控硅导通之后电流量极大而管压降只有1V左右，这时的伏安特性与二极管的正方向...

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igbt功率模块断开时间toff的定义

2021-07-07

1、断开时间toff同开通时间ton相同，断开时间toff也能够分成2段：断开延迟时间td（off），和下降时间tf。当栅极和发射极间的正方向电压被突然撤消并同时被添加1个负压后，VCE便開始下跌。下跌过程的时间常数依然由輸入电容CGE和栅极驱动电路的电阻所决定。此外，VCE開始上升。但只要是VCE低于VCC，则续流二极管处在截止情况且无法接续电流。因此，igbt模块的集电极电流IC在这段时间并没有明显的下跌。因此，从栅极—发射极电压VCE降落到其开通值的90%開始，直至集电极电流下跌至负载电流的90%为止；这段时间被定义为断开延迟时间td（off）。一经上升的igbt模块的集电极—发射极电压超出电...

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万用表判别可断开可控硅模块

2021-07-06

下边分别讲解使用数字万用表判别GTO电极、检测GTO的促发功能和断开功能、估算断开增益βoff的办法。 1．判别GTO的电极将数字万用表拨至R×1档，测量随机两脚间的电阻值，仅当黑表笔接G极，红表笔接K极时，电阻值呈低阻值，对其余状况电阻值均为无穷大。从而可快速判别G、K极，剩下的便是A极。2．检测促发功能如图2(a)所显示，第一步将表Ⅰ的黑表笔接A极，红表笔接K极，电阻值为无穷大；之后用黑表笔尖也同时接触G极，添加正方向促发信号，表针往右边偏转到低阻值即反映GTO己经导通；最终脱开G极，只要GTO保持导通状态，就反映被测管具备促发功能。3．检测关断功能现选用双表法检测GTO的...

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igbt开关时间定义

2021-07-06

1、导通时长ton导通时长能够分成2个部分：导通延迟时间td（on）与上升时间tr，在此时长内igbt模块主要运行在主动区域。当栅极和发射极之向被添加1个阶跃式的正方向驱动电压后，便对CGE開始充电，VGE開始提升，提升过程的时间常数由CGE和栅极驱动网路的电阻所决定，一经VGE到达开启电压VGE（th）后，集电极电流IC则開始提升。从VGE提升至VGE（th）開始，到IC提升至负载电流IL的10%截止，这段时间被定义为导通延迟时间td（on）。之后，集电极电流IC持续上涨，到IC提升至负载电流IL的90%的时候，这段时间称作上升时间tr。导通延迟时间td（on）与上升时间tr之...

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