新闻列表 - 传承电子科技(江苏)有限公司 - IGBT模块_可控硅模块

可断开可控硅(GTO)

2021-07-05

可断开可控硅GTO（GateTurn-OffThyristor）亦称门控可控硅。其主要特点为，当门极加负向促发信号时可控硅能自行断开。前已述及，普通可控硅（SCR）靠门极正信号促发以后，撤走信号亦能保持导通状态。欲使之断开，务必断开电源，使正方向电流低过保持电流IH，或施加反方向电压强近断开。这就要增加换向线路，不光使设备的体积重量增加，同时会减低效率，造成波形失真和噪声。可关断可控硅解决了以上所述缺点，它既保留了普通可控硅耐压高、电流大等优势，以具备自断开功能，使用便捷，是理想的高压、大电流开关元器件。GTO的容量及使用寿命均超过巨型晶体管（GTR），仅是工作频纺比GTR低。现阶段，GTO已到达3000A、450...

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全面解析igbt功率模块开关过程

2021-07-05

igbt功率模块的开关过程主要是由栅极电压VGE操纵的，因为栅极和发射极间存有着寄生电容艮，所以igbt模块的导通与断开就等同于对CGE完成充电与放电。假定igbt模块初始状态为断开模式，即VGE为负压VGC-，后级输出为阻感性负载，含带续流二极管。因为寄生参数和负载特点的干扰，igbt模块的真实导通与断开过程相对复杂，如图1为igbt模块的导通断开过程示意图，图内栅极驱动波型比较理想化，集电极电流和集电极-发射极电压的波型大致上是实际波型，仅有小细节被理想化。图1igbt模块开关时间示意图表1中列举了igbt模块开关时间的定义，之后是对igbt模块开关每个阶段的具体讲述。导通时长...

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什么是IGBT?

2021-07-02

igbt全称作绝缘栅双极型晶体管，是由双极结型晶体三极管和绝缘栅型场效应管，也称金属氧化物半导体场效应管)构成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体元器件，其具备自断开的特性。优势是可以使用电压控制，耐压高，饱和压降小，转换速度快，环保节能等优势。双面冷却散热优势某些小尺寸高功率的组件无法使用传统的单面冷却构造符合其散热要求，近些年对功率模块双面冷却构造的探究也愈来愈多。和单面构造散热构造对比，双面冷却构造在功率芯片的两边均焊接有绝缘导热基板，功率端子全部与绝缘导热基板相接，绝缘导热基板的外边安装有散热器。这样的构造的优势是可以减少功率模块的热阻，与此同时可以减少容积及品质，并且因为构造的改进导致可靠性也获...

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用万用表判别可控硅模块的电极办法

2021-07-02

下边讲解使用数字万用表R×1档判别双向可控硅电极的办法，并且还检测触发能力。 1．判别T2极由图2(a)看得出，G极与T1极靠近，距T2极较远。所以，G-T1间的正、反方向电阻都较小。在使用R×1档测任意两脚间的电阻时，唯有G-T1间展现低阻，正、反方向电阻仅几十欧。而T2-G、T2-T1间的正、反方向电阻均为无穷大。这表明，如果测出某脚和其它两脚都不通，就肯定是T2极。此外，选用TO-220封装的双向可控硅，T2极一般与小散热板连接。由此也可以确定T2极。2．分辨G极和T1极（1）找出T2极后，最先假设剩下两脚中某一脚为T1极，另一脚为G极。（2）把黑表笔接T1极，红表笔接T...

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igbt模块封装构造

2021-07-01

igbt模块的封装构造具体由igbt模块芯片，DBC导热基板，封装材质，电连接端子等构成，芯片具体为Si，SiC，GaN等，DBC覆铜陶瓷导热基板的陶瓷材料具体有Si3N4，AL2O3，ALN等。igbt模块主要用途从功能性上来看，igbt模块是一个可以使用计算机控制的线路开关，被普遍应用在了高铁、轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源设备等行业使用极广。散热现象干扰产品功能随着功率电子元器件正方向高密度化，大功率，小型化发展，大规模使用电子元器件给我们的生活提供便利的与此同时，愈来愈高功率导致电子元器件的散热现象越来越严重。所以散热是一项十分重要的技术，散热功能的优劣直接干扰着产品...

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