新闻列表 - 传承电子科技(江苏)有限公司 - IGBT模块_可控硅模块

igbt模块有源自适应电压平衡控制方法

2021-06-28

igbt模块开关环节中的延迟时间td及电压变化率dv/dt，如公式（1）（2）所显示当中：CGE为igbt模块栅射极电容；CGC为igbt模块集射极电容；VGE(th)为栅极阈值电压；IC为集电极电流；Gm为元器件的跨导；RG为栅极电阻；Lg为电路总杂散电感；RL为电路负载等效电阻。利用调整igbt模块栅极电压，能够有效地控制igbt模块开关环节中的时间延迟td及电压变化率dv/dt，达到igbt模块串联电压平衡。有文献提出的有源电压控制，利用闭环控制让igbt模块集射极电压VCE迅速追随参照电压Vref。当igbt模块端电压高过给出电压时，形成正门极电压信号导通igbt模块;当igbt模块端电压低于...

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什么是门极断开(GTO)可控硅

2021-06-25

可断开可控硅GTO（GateTurn-OffThyristor）亦称栅控可控硅。其主要特点为，当栅极加负向触发信号时可控硅能自行断开。普通可控硅（SCR）靠栅极正信号触发后，撤下信号亦能保持通态。欲使之断开，必须断开电源，使正方向电流小于保持电流IH，或施加反方向电压强近断开。这就必须增加换向线路，不但使设施的体积重量增加，并且会降低效率，造成波形失真和噪声。可断开可控硅克服了上述弊端，它既保存了普通可控硅耐压高、电流大等优势，以具备自断开能力，操作方便，是比较完美的高压、大电流开关元器件。GTO的容积及使用期限均超出巨型晶体管（GTR），只是工作频率比GTR低。现在，GTO已到达4500A、600...

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逆导晶闸管的检测

2021-06-25

借助数字万用表和兆欧表能够检测逆导晶闸管模块的优劣。检测内容具体分3项：1.检测逆导性选用数字万用表R×1档，黑表笔接K极，红表笔接A极(参照图3(a))，电阻值应当为5～10Ω。若阻值为零，说明内部二极管短路;电阻为无穷大，说明二极管开路。2.检测正方向直流转折电压V(BO)依照(b)图接好线路，再按额定转速摇兆欧表，使RCT正方向击穿，由直流电压表中读取V(BO)值。3.检测触发能力实例：用500型数字万用表和ZC25-3型兆欧表检测1只S3900MF型逆导晶闸管模块。先后选用R×1k、R×100、R×10和R×1档检测A-K极间反方向电阻，同时用读取电压法求出出内部二极管的反向导...

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逆导可控硅（RCT）特性解析

2021-06-24

逆导可控硅RCT(Reverse-ConducTIngThyrisTIr)亦称反向导通可控硅。其特征是在可控硅的阳极与阴极中间反方向并联1只二极管，使阳极与阴极的发射结均呈短路模式。因为这个特殊线路构造，使之具备耐高压、耐高温、断开时间短、通态电压低等优异特性。比如，逆导可控硅的断开时间仅几微秒，工作频率达几十千赫，好于快速可控硅(FSCR)。该元器件适用开关电源、UPS不间断电源中，1只RCT就可以取代可控硅和续流二极管各1只，不但使用便捷，并且能简化线路设计。逆导可控硅的符号、等效电路如下图1(a)、(b)所显示。其伏安特性见图2。由图可见，逆导可控硅的伏安特性具备不对称性，正方向特性与普通可控硅...

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igbt模块串联电压不平衡分析

2021-06-24

igbt模块串联电压不平衡可分为静态电压不平衡及动态电压不平衡，而因为igbt模块开关速率较快，所以动态电压不平衡是igbt模块串连必须克服的主要难题，与此同时与igbt模块反并接的续流二极管的电压平衡控制也是串连必须考量的主要难题。造成 igbt模块串联电压不平衡要素主要可分为下列五种：（1）igbt模块漏电流不一致igbt模块漏电流的差异化将造成 igbt模块断态阻抗的不一致，而igbt模块关断后，因为串连元器件中流经的漏电流是同样的，所以不一样的断态阻抗会造成 igbt模块的静态电压不均衡，元器件的结温同样会干扰静态均压。（2）驱动讯号的不一致和驱动线路参数的差别驱动讯号的不一致和驱动...

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