新闻列表 - 传承电子科技(江苏)有限公司 - IGBT模块_可控硅模块

双向可控硅(TRIAC)

2021-07-01

普通可控硅本质上应属直流元器件。要控制交流负载，必须将2只可控硅反极性并接，让每只SCR控制1个半波，为此需2套独立的触发线路，用的倍感不方便。双向可控硅是在普通可控硅的基础上发展起来的，它不但能替代2只反极性并接的可控硅，且仅用一个触发线路，是现阶段较为满意的交流开关元器件。其英文名称TRIAC便是三端双向交流开关的意义。即便从形式上能够把双向可控硅看作2只普通可控硅的组成，但实际上它是由7只晶体管和多只电阻组成的功率集成元器件。小功率双向可控硅一般选用塑料封存装，有的还带小散热极，外观如下图1所显示。典型产品有BCM1AM（1A/600V）、BCM3...

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igbt模块串联平衡稳压系统设计之实验证实

2021-06-30

按照前边所讲有源自适应电压平衡控制策略，研发igbt模块智能驱动板如下图所示。igbt模块智能驱动板实际包含有源自适应电压平衡控制、故障保护、通讯编码、高位取能等作用。借助FPGA编程设计参考电压波型，如下图所示。预断开时长初值为4μs，预断开平台幅值1.5V，主断开时长初值为1μs，钳位电压幅值7V，预开通时长初值为3μs，预开通平台幅值4V，主断开时长初值为2μs。对2个igbt模块串连展开实验测验，实验线路选用无源逆变电路，实际参数如下所示：直流电压1000V，负载电流400A，igbt模块开关频率1050Hz。参考电压参数：预断开平台时长4μs，预断开平台幅值1.5V，主断开时长1μs，钳...

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传承电子介绍：光控可控硅

2021-06-29

光控可控硅也称GK型光开关管，是1种光敏元器件。1．光控可控硅的构造一般可控硅有几个电极：控制极G、阳极A和阴极C。而光控可控硅因为其控制信号来源于光的照射，没有必需再引出控制极，为此仅有2个电极(阳极A和阴极C)。但它的构造与普通可控硅相同，是由四层PNPN元器件组成。此主题有关图片如下：光控可控硅的外型如图1（a）所显示。其线路图形符号如图1(b)所显示。光控晶闸管的外形及电路图形符号图从外型上看，光控可控硅亦有受光窗口，还有2条管脚和壳体，神似光电二极管。2．光控可控硅的原理此主题有关图片如下：当在光控可控硅的阳极添加正方向电压，阴极添加负...

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igbt模块自适应平衡控制系统设计之仿真证实

2021-06-29

对于有源自适应电压平衡控制，在BOOST线路上进行2只igbt模块串连仿真分析。仿真条件：igbt模块断开电压400V，igbt模块通态电流180A，串连阀臂杂散电感100nH，igbt模块开关频率1kHz，Vref预断开時间初值1μs，Vref主断开時间初值1.5μs。如下图所示，为在不提升Vref下2只igbt模块电压及电流波型，因为Vref预断开及主断开時间较长，igbt模块预断开時间接近1μs，断开dv/dt为200V/μs，所以igbt模块串联电压平衡度很高，但是igbt模块断开损耗较大，单次断开损耗达198mJ。如下图所示，为在有源自适应电压平衡控制下2只igbt模块的Vref，从图中能够得出V...

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可控硅元器件未来发展趋势

2021-06-28

大功率可控硅（SCR）以前相当一段时间内，几乎是可以经受高电压和大电流的惟一半导体元器件。因此，对于SCR的弊端，人们很自然地把努力方向引到了如何使可控硅具备断开能力这一点上，并因此而开发出了栅极可断开可控硅GTO。用GTO可控硅做为逆变器件获得了比较满意的结果，但其断开控制容易失败，仍较复杂，工作频率也不是很高。而几乎是与此同时，电力晶体管（GTR）快速发展起来，使GTO可控硅相形见绰。因此，在大量的中小容积变频器中，GTO可控硅已基本不用。但因其工作电流大，故在大容量变频器中仍居主要地位。按照电力电子器件的发展现状趋势，估计在之后几年，电力电子器件将在下列层面获得突破：已进到实用化的全控型元器件...

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