新闻列表 - 传承电子科技(江苏)有限公司 - IGBT模块_可控硅模块

全数字双向可控硅模块线路

2021-05-13

图1所显示的简易数字电路能够用作精准地调控交流电源，线路没有任何的数字到模拟转变线路。在应用领域中，系统的调控计算机传送有效数据字到SH74HCT534，经锁存后，利用2进制比较器SN74LS682同异步波型计数器SN74HC4040的輸出相比较。图1全数字双向可控硅线路SH74HC4040由1MHz的时钟驱动，它能够提供精准的50Hz~60Hz时钟。在交流电源的零点交叉处，双向光耦TIL194B清除SH74HC4040的輸出，使SW4HC4040与交流信号同步。在零交叉点，2进制比较器的輸出无效。2进制比较器的輸出调控隔离可控珪光耦TIL3020。在零交叉点后，计数器開始计数。2进制比较器的輸出仍...

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igbt模块各中原因受损解决方法介绍

2021-05-13

1、过电压毁坏预防过电压毁坏方式有：优化主线路的工艺构造，经过减小大电流回路的路径来减少线路内寄生电感；适度提高igbt模块驱动电阻Rg使开关速度减慢（但开关损耗也提高了）；设计缓冲线路，对尖峰电压实现抑制。用作缓冲线路中的二极管必需是快恢复的二极管，电容器必需是高频、损耗小，频率特性好的薄膜电容。如此才可以获得好的吸收作用。常见线路有耗能式和回馈式缓冲线路。回馈式又有无源式和有源式2种，详细电路设计可参照所选用元件的技术手册。 2、桥臂共导毁坏在UPS中，逆变桥同臂支路2个驱动必需是互锁的，并且应当设定死区时间（即一起不导通时间）。倘若出现共导，igbt模块会迅速毁坏。在控制电路应当...

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“以小控大”的可控硅模块

2021-05-12

第一步，我们可以把从阴极往上数的一、二、三层看面是1只NPN型号晶体管，而二、三四层构成另外一只PNP型晶体管。当中第二、第三层为两管交迭共用。当在阳极和阴极间加之1个正向电压Ea，又在控制极G和阴极C间（相当BG1的基一射间）键入1个正的触发信号，BG1将造成基极电流Ib1，经扩大，BG1将有个扩大了β1倍的集电极电流IC1。由于BG1集电极与BG2基极相接，IC1更是BG2的基极电流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）扩大了β2的集电极电流IC2送回BG1的基极扩大。这般循环扩大，直至BG1、BG2彻底导通。实际这一过程是“一触即发”的过程，对可控硅模块来说，触发信号加入控制极，可控硅模块...

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igbt模块过电流毁坏解决对策

2021-05-12

为了避免igbt模块出现擎住效应而毁坏，线路设计中应确保igbt模块的最大的工作电流应不超过igbt模块的IDM值，此外注意可适度增加驱动电阻RG的方式延长断开时间，减小igbt模块的di/dt。驱动电压的大小也会影响igbt模块的擎住效应，驱动电压低，承担过电流时间长，igbt模块必需加负偏压，igbt模块生产厂家通常建议加-5V左右的反偏电压。在有负偏压情况下，驱动正电压在10—15V间，漏极电流可在5～10μs内超出额定电流的4～10倍，因此驱动igbt模块必需设计负偏压。因为UPS负载冲击特性各有不同，且供电的装备很有可能出现电源故障短路，因此在UPS设计中实行限流措施进行igbt模块的电流限制也是必需的，可考虑采用...

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可控硅模块的构造和特性

2021-05-11

可控硅是可控硅整流元器件的简称，是1种有着3个PN结的四层构造的大功率半导体元器件。事实上，可控硅模块的作用不但是整流，它还能用作无触点开关以快速接通或切断线路，完成将直流电转为交流电的逆变，将1种频率的交流电转为另一种频率的交流电，等。可控硅模块和其它半导体元器件相同，其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等特点。它的面世，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，变成工业、农业、交通运输、军事科研甚至商业、民用电器等方面纷纷采用的元器件。可控硅模块的构造和特性可控硅模块从外型上分主要有螺旋式、平板式和平底式3种。螺旋式的使用较多。可控硅模块有3个电极——阳极（A）阴极（C）和控制极（G）。 ...

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