新闻列表 - 传承电子科技(江苏)有限公司 - IGBT模块_可控硅模块

igbt模块的擎住效应

2022-03-24

由图1(b)线路能够看见，igbt模块内部的寄生三极管T2与输出三极管T1等效于1个晶闸管模块。内部体区电阻Rbr上的电压降为1个正方向偏压加在寄生三极管T2的基极和发射极间。当igbt模块处在断开情况和处在正常稳定通态时（ic不超过允许值时），Rbr上的压降都较小，并不能产生T2的基极电流，T2不起作用。但倘若ic瞬时过大，Rbr上压降过大，则将会使T2导通，而一经T2导通，即使撤除门极电压UGE，igbt模块仍然会像晶闸管模块一样处在通态，使门极G失去控制作用，这种现象称为擎住效应。在igbt模块的设计制造时已尽可能地降低体区电阻Rbr，使igbt模块的集电极电流在最大允许值ICM时，Rbr...

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可控硅模块的内部结构

2022-03-23

晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又可称作可控硅整流器，之前被简称为可控硅；可控硅是PNPN四层半导体构造，它有几个极：阳极，阴极和门极；可控硅具备硅整流器件的性能，能在高电压、大电流情况下运作，且其运作过程能够控制、被普遍使用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子线路中。可控硅接通情况为：加顺向电压且门极有触发电流；其派生元器件有：快速可控硅，双向晶闸管，逆导可控硅，光控可控硅等。它是1种大功率开关型半导体器件，在线路中用文字符号为“V”、“VT”表达（旧标准中用字母“SCR”表达）。可控硅（Thyristor）是1种开关元件，能在高电压、大电流情况下运作，且其运作过程能...

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igbt模块的动态特性

2022-03-22

图2示出了igbt模块的导通和断开环节。导通环节的特性类似MOSFET；由于在这个区间，igbt模块大部分时间用作MOSFET运行。导通时间由4个部分构成。导通延迟时间td是外施栅极脉冲从负到正跳变开始，到栅-射电压充电到UGEth的时间。这之后集电极电流从0开始上升，到90%稳态值的时间为电流上升时间tri。在这2个时间内，集-射极间电压UCE基本不变。之后，UCE开始下降。下降时间tfu1是MOSFET运行时漏-源电压下降时间tfu2是MOSFET和PNP晶体管同时运行时漏-源电压下降时间；因此，igbt模块导通时间为ton=td+tr+tfu1+tfu2。导通环节中，在td、tr时间内，栅-射...

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可控硅调速线路图

2022-03-21

如下图，调节电位器ＲＰ就可以调节可控硅的导通角，转变输出电压，进而达到无级调节电动机转速的目的。RP阻值小，VS导通角度大，输出电压高，电动机转速高；反之，RP阻值大，电动机转速低。为了能提升直流调速系统的动静态性能指标，通常选用闭环控制系统（包含单闭环系统和多闭环系统）。对调速指标要求不高的场合，选用单闭环系统，而对调速指标较高的则选用多闭环系统。按反馈的形式不同可分成转速反馈，电流反馈，电压反馈等。在单闭环系统中，转速单闭环使用较多。在本设备中，转速单闭环实验是将反映转速改变的电压信号当作反馈信号，经“速度变换”后连接到“速度调节器”的输入端，与“给定”的电压相对比经放大后，获得移相控制电压UCt，用来...

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igbt模块的静态特性

2022-03-18

（1）输出特性：是UGE一定时集电极电流Ic与集电极-发射极电压UCE的函数关系，即Ic=f（UCE）。图1示出igbt模块的输出特性。UGE=0的曲线相应于igbt模块处在断态。在线性导电区I，UCE增加，Ic增加。在恒流饱和区Ⅱ，对于一定的UGE，UCE增加，IC不会再随UCE而增加。在UCE为负值的反压下，其特性曲线类似三极管的反方向阻断特性。为了使igbt模块安全运作，它承担的外加压、反方向电压应低于图1（c）中的正、反方向折转击穿电压。（2）转移特性：是图1（d）所显示的集电极电流Ic与栅极电压UGE的函数关系，即Ic=f(UGE)。当UGE低于开启阈值电压UGEth时，等...

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